PDF文件中的物料型号为LBZX84C2V4LT1G和LBZX84C3V3LT1G。
这两个型号是N沟道MOSFETs,用于电源管理、电机控制、音频放大器和开关电源等应用。
器件简介指出它们是低压降、高密度、低导通电阻的N沟道MOSFETs。
引脚分配包括D(漏极)、G(栅极)和S(源极)。
参数特性包括:
- 漏源电压(VDS):40V和30V
- 栅源电压(VGS):20V和10V
- 导通电阻(RDS(on)):分别为4.5Ω和3.5Ω
- 工作温度范围:-55~+125℃
功能详解中,这两个型号的MOSFETs适用于需要低导通电阻和高开关速度的应用。
它们可以提高能效并减少热量产生。
应用信息指出,这些器件适用于电池管理、电机控制、开关电源和音频放大器等应用。
封装信息显示,这些器件采用SO8封装,具有较小的占用空间和良好的热性能。