LH8550QLT1G

厂商：
LRC(乐山无线电)
封装：
SOT-23
描述：
功率(Pd)：225mW 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：1.5A 晶体管类型：PNP Vceo=-50V,Ic=-1500mA

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon LH8550PLT1G Series S-LH8550PLT1G Series FEATURE ƽHigh current capacity in compact package. IC =-1.5A. ƽEpitaxial planar type. ƽPNP complement: LH8550 3 ƽPb-Free Package is available. ƽ S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 1 2 SOT–23 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Marking Shipping (S-)LH8550PLT1G KIO 3000/Tape&Reel (S-)LH8550PLT3G KIO 10000/Tape&Reel Device COLLECTOR 3 1 BASE (S-)LH8550QLT1G (S-)LH8550QLT3G KIY 3000/Tape&Reel KIY 10000/Tape&Reel 2 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Max Unit Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-continuoun VCEO VCBO VEBO IC -50 -50 -6 -1500 V V V mAdc Symbol Max Unit PD 225 mW T j , TS t g -55 to +150 °C THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Total Dissipation Power Junction and Storage Temperature Rev.C 1/4 LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LH8550PLTIG Series,S-LH8550PLTIG Series ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit V(BR)CEO -50 – – V V(BR)EBO -6 – – V V(BR)CBO -50 – – V ICBO – – -100 nA Emitter Cutoff Current (VEB=-6V,I C =0) IEBO – – -100 nA Base-Emitter Voltage (VCE =-1V,I C =-10mA) VBE – -0.66 h FE * 100 - h FE 40 - - VCE(S) - - -0.5 Collector-Emitter Breakdown Voltage (IC=-2.0mA,IB=0) Emitter-Base Breakdown Voltage (IE=-100µΑ,I C =0) Collector-Base Breakdown Voltage (IC=-100µΑ,I E =0) Collector Cutoff Current (VCB=-35V,I E =0) -1 V DC Current Gain IC=-100mA,VCE =-1V 320 DC Current Gain IC=-800mA,VCE =-1V Collector-Emitter Saturation Voltage (IC=-800mA I B =-80mA) NOTE : * P Q hF E 100~200 160~320 V Rev.C 2/4 LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LH8550PLTIG Series,S-LH8550PLTIG Series Electrical Characteristic Curves (TA=25°C) Rev.C 3/4 LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LH8550PLTIG Series,S-LH8550PLTIG Series SOT-23 NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M,1982 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH. A L 3 1 V 2 DIM B S G C D H K J MIN 0.1102 0.0472 0.0350 0.0150 0.0701 0.0005 0.0034 0.0140 0.0350 0.0830 0.0177 A B C D G H J K L S V INCHES MAX 0.1197 0.0551 0.0440 0.0200 0.0807 0.0040 0.0070 0.0285 0.0401 0.1039 0.0236 MILLIMETERS MIN MAX 2.80 3.04 1.20 1.40 0.89 1.11 0.37 0.50 1.78 2.04 0.013 0.100 0.085 0.177 0.35 0.69 0.89 1.02 2.10 2.64 0.45 0.60 PIN 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR 0.037 0.95 0.037 0.95 0.079 2.0 0.035 0.9 0.031 0.8 inches mm Rev.C 4/4

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LH8550QLT1G

物料型号：LH8550PLT1G 和 S-LH8550PLT1G

器件简介： - 这些晶体管具有高电流容量，封装紧凑。 - 它们是外延平面型PNP硅晶体管。 - 封装类型为SOT-23。

引脚分配： - 1. 基极（BASE） - 2. 发射极（EMITTER） - 3. 集电极（COLLECTOR）

参数特性： - 集电极-发射极电压（VCEO）最大为-50V。 - 集电极-基极电压（VcBO）最大为-50V。 - 发射极-基极电压（VEBO）最大为-6V。 - 集电极电流（Ic）最大为-1500mA。

功能详解： - 电气特性表列出了各种工作条件下的最小、典型和最大值，包括击穿电压、截止电流、基极-发射极电压、直流电流增益（hFE）和饱和电压等。

应用信息： - 这些晶体管适用于汽车和其他需要特殊现场和控制变化要求的应用。 - 它们通过了AEC-Q101认证，并能够提供生产部件批准过程（PPAP）。

封装信息： - 提供了SOT-23封装的尺寸和公差信息。 - 还提供了引脚布局和封装的物理尺寸图。

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