1. 物料型号:
- 型号:MASW4060G
- 封装:DIE(裸片)
2. 器件简介:
- MASW4060G是M/A-COM公司生产的SPDT(单极双掷)GaAs MESFET MMIC开关,适用于4.0 GHz以下的电路设计。该器件结合了小尺寸、低插入损耗和低功耗以及高隔离度的特点,非常适合多种应用场景和模块使用。
3. 引脚分配:
- 控制值(A或B):-8.5 Vdc
- 最大输入RF功率:+34 dBm
- 存储温度:-65°C至+175°C
- 最大工作温度:+175°C
- 焊盘尺寸:
- RF:0.005x 0.005 英寸 (0.125x 0.125 毫米)
- RF1-RF4,A1-A4,B1-B4:0.004x 0.004 英寸 (0.100 x 0.100 毫米)
- G1-G4:0.008 x 0.004 英寸 (0.200 x 0.100 毫米)
- T1-T4:0.006 x 0.005 英寸 (0.150 x 0.125 毫米)
4. 参数特性:
- 插入损耗:在DC至4.0 GHz的频率范围内,典型值为1.2 dB至1.7 dB
- 隔离度:在DC至4.0 GHz的频率范围内,最小值从30 dB至50 dB
- 输入P-1dB功率:在0.5 GHz至4.0 GHz的频率范围内,典型值为+17 dBm至+27 dBm
- IP2和IP3:在0.5 GHz至4.0 GHz的频率范围内,典型值分别为+45 dBm至+60 dBm和+35 dBm至+46 dBm
- 控制电流:在低电压(0至-0.2 V)时为50 A,高电压(-5V)时为25 A至200 A
- 切换速度:上升时间为2 ns,下降时间为4 ns
5. 功能详解:
- MASW4060G采用成熟的1微米门长GaAs MESFET工艺制造,具有全芯片钝化特性,以提高性能和可靠性。
- 该开关具有低插入损耗、快速切换速度和超低直流功耗的特点,并且有终止选项,符合RoHS合规性。
6. 应用信息:
- 适用于需要低插入损耗、高隔离度和低功耗的应用,如通信系统、测试设备等。
7. 封装信息:
- 尺寸:0.076 x 0.058 x 0.010 英寸 (1.920 x 1.470 x 0.25 毫米)
- 该器件的裸片背面采用Pd/Ni/Au (100/1,000/10,000Å)金属化处理,可以通过AuSn共晶或热导电胶进行封装。