1. 物料型号:
- MASWSS0029:散装封装。
- MASWSS0029TR:1000片卷装封装。
- MASWSS0029SMB:样品测试板封装。
2. 器件简介:
- MASWSS0029是一款基于砷化镓(GaAs)PHEMT工艺的单刀双掷(SPDT)高功率开关,工作频率高达3.0 GHz,适用于需要高功率、低控制电压、低插入损耗、高隔离度、小尺寸和低成本的应用。
3. 引脚分配:
- 1号引脚(RF1):射频端口1。
- 2号引脚(GND):射频地。
- 3号引脚(RF2):射频端口2。
- 4号引脚(V2):控制2。
- 5号引脚(RFC):射频公共端口。
- 6号引脚(V1):控制1。
4. 参数特性:
- 低电压操作:2.8V。
- 高IP3:+60 dBm。
- 低插入损耗:1.0 GHz时为0.40 dB。
- 高隔离度:1.0 GHz时为24.5 dB。
- 封装:SOT-26。
5. 功能详解:
- MASWSS0029采用0.5微米门长的GaAs PHEMT工艺制造,具有完整的钝化层以提高性能和可靠性。
- 该器件适用于CDMA手机系统,连接独立的收发器和/或GPS功能至公共天线,以及其他相关手机和通用应用。
6. 应用信息:
- 适用于所有需要低控制电压下高功率的系统,工作频率高达3.0 GHz。
7. 封装信息:
- 封装类型为SOT-26塑料封装。