1. 物料型号:
- MASWSS0118TR:1000片卷装
- MASWSS0118TR-3000:3000片卷装
- MASWSS0118SMB:样品测试板
2. 器件简介:
- MASWSS0118是一款基于砷化镓PHEMT工艺的单刀四掷(SP4T)高功率开关,工作频率高达3.0GHz,采用低成本的4mm 16引脚PQFN封装。适用于需要高功率、低控制电压、低插入损耗、高隔离度、小尺寸和低成本的应用场合。
3. 引脚分配:
- 1号引脚:V1(控制1)
- 2号引脚:RF1(射频端口1)
- 3号引脚:GND(射频地)
- 4号引脚:RF2(射频端口2)
- 5号引脚:GND(射频地)
- 6号引脚:V2(控制2)
- 7号引脚:V3(控制3)
- 8号引脚:GND(射频地)
- 9号引脚:RF3(射频端口3)
- 10号引脚:GND(射频地)
- 11号引脚:GND(射频地)
- 12号引脚:RF4(射频端口4)
- 13号引脚:GND(射频地)
- 14号引脚:V4(控制4)
- 15号引脚:GND(射频地)
- 16号引脚:ANT(天线端口)
- 17号引脚:Paddle 2(射频地)
4. 参数特性:
- 工作电压:2.5V
- 低谐波:在+34dBm和1GHz时小于-65dBc
- 低插入损耗:在1GHz时为0.65dB
- 高隔离度:在2GHz时为23dB
5. 功能详解:
- MASWSS0118适用于GSM和DCS手机系统,连接独立的发射和接收功能至共用天线,以及其他手机和相关应用。该器件可在所有工作频率高达3.0GHz且需要低控制电压下高功率的系统中使用。
6. 应用信息:
- 典型应用包括GSM和DCS手机系统,以及其他需要高功率、低控制电压、低插入损耗、高隔离度、小尺寸和低成本的场合。
7. 封装信息:
- 采用4mm 16引脚PQFN封装,封装底部中心的暴露垫必须连接至射频和直流地。