1. 物料型号:
- MASWSS0181:散装封装。
- MASWSS0181TR:1000片卷装。
- MASWSS0181TR-3000:3000片卷装。
- MASWSS0181SMB:样品测试板。
2. 器件简介:
- MASWSS0181是一款基于砷化镓PHEMT工艺的单刀双掷(SPDT)高功率开关,工作频率可达3GHz。适用于需要高功率、低控制电压、低插入损耗、高隔离度、小尺寸和低成本的应用场合,如GSM和DCS手机系统。
3. 引脚分配:
- 1号引脚:RF1,射频端口1。
- 2号引脚:GND,射频地。
- 3号引脚:RF2,射频端口2。
- 4号引脚:V2,控制2。
- 5号引脚:RFC,射频公共端口。
- 6号引脚:V1,控制1。
4. 参数特性:
- 工作电压:2.5V。
- 谐波:在1GHz时小于-67dBc,功率为+34dBm。
- 插入损耗:在1GHz时为0.40dB。
- 隔离度:在2GHz时为20dB。
- 采用0.5微米砷化镓PHEMT工艺,无铅SOT-26封装,100%铜上镀锡,无卤素“绿色”模具化合物,260°C回流兼容,符合RoHS标准的MASWSS0006版本。
5. 功能详解:
- MASWSS0181采用0.5微米门长砷化镓PHEMT工艺制造,具有全钝化特性,以提高性能和可靠性。
6. 应用信息:
- 典型应用包括GSM和DCS手机系统,连接独立的发射和接收功能至公共天线,以及其他相关手机和通用应用。
7. 封装信息:
- 采用无铅SOT-26塑料封装,参考应用说明M538了解无铅焊接回流建议。