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MAPRST1030-1KS

MAPRST1030-1KS

  • 厂商:

    MACOM

  • 封装:

  • 描述:

    MAPRST1030-1KS - Avionics Pulsed RF Power Transistor - Tyco Electronics

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
MAPRST1030-1KS 数据手册
Advanced Datasheet Rev 17-06-2005 Avionics Pulsed RF Power Transistor 1000 Watts, 1030 MHz, 10µs Pulse Width, 1% Duty Cycle MAPRST1030-1KS Features • • • • • • • • NPN Silicon Microwave Power Transistor Common Base Configuration Broadband Class C Operation High Efficiency Interdigitated Geometry Diffused Emitter Ballasting Resistors Gold Metalization System Internal Input and Output Impedance Matching Hermetic Metal/Ceramic Package Outline Drawing MAXIMUM RATINGS AT 25°C Parameter Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current (Peak) Total Power Dissipation @ +25° C Junction Temperature Storage Temperature Symbol VCES VEBO IC PTOT TJ TSTG Rating 65 3.0 250 11.6 200 -65 to +200 Units V V A kW °C °C ELECTRICAL CHARACTERISTICS AT 25°C Parameter Collector-Emitter Breakdown Voltage Collector-Emitter Leakage Current Thermal Resistance RF Power Gain Collector Efficiency Input Return Loss Load Mismatch Stability Load Mismatch Tolerance Symbol BVCES ICES RTH PG Min 65 8.0 45 - Max 30 0.015 -10 1.5:1 3:1 Units V mA °C/W dB % dB IC=250mA VCE=50V Test Conditions VCC=50 V, POUT=1000 W, F= 1.03 GHz VCC=50 V, POUT=1000 W, F= 1.03 GHz VCC=50 V, POUT=1000 W, F= 1.03 GHz VCC=50 V, POUT=1000 W, F= 1.03 GHz VCC=50 V, POUT=1000 W, F= 1.03 GHz VCC=50 V, POUT=1000 W, F= 1.03 GHz ηC RL VSWR-S VSWR-T BROADBAND TEST FIXTURE IMPEDANCE F (GHz) 1.03 Z IF (Ω) 1.8 - j2.2 Z OF (Ω) 0.5 - j1.0 M/A-COM RF Power Innovations • 1742 CRENSHAW BLVD • TORRANCE, CA 90501 • (310) 320-6160 • FAX (310) 618-9191 PAGE 1/1 Advanced Datasheet Rev 17-06-2005 Avionics Pulsed RF Power Transistor 1000 Watts, 1030 MHz, 10µs Pulse Width, 1% Duty Cycle MAPRST1030-1KS TYPICAL RF PERFORMANCE- OUTPUT POWER VS. INPUT POWER 1200 Ouput Power (Watts) 1100 1000 900 800 700 100 110 120 130 140 150 160 170 Input Power (Watts) TYPICAL RF PERFORMANCE - RF GAIN AND COLLECTOR EFFICIENCY VS. OUTPUT POWER 9.5 Gain 60 9.0 G ain (dB ) 55 Eff (% ) 8.5 Collector Efficiency 50 8.0 45 7.5 700 800 900 1000 1100 40 1200 Pout (Watts) M/A-COM RF Power Innovations • 1742 CRENSHAW BLVD • TORRANCE, CA 90501 • (310) 320-6160 • FAX (310) 618-9191 PAGE 1/1 Advanced Datasheet Rev 17-06-2005 Avionics Pulsed RF Power Transistor 1000 Watts, 1030 MHz, 10µs Pulse Width, 1% Duty Cycle MAPRST1030-1KS M/A-COM RF Power Innovations • 1742 CRENSHAW BLVD • TORRANCE, CA 90501 • (310) 320-6160 • FAX (310) 618-9191 PAGE 1/1
MAPRST1030-1KS
PDF文档中包含的物料型号为:MAX31855。

器件简介:MAX31855是一款冷结补偿型K型热电偶至数字转换器。

引脚分配:MAX31855有8个引脚,包括V+、GND、SCK、CS、SO、T-、T+、VOUT。

参数特性:工作温度范围-40°C至+125°C,转换速率为16次/秒,分辨率为0.0625°C。

功能详解:MAX31855能够将K型热电偶信号转换为数字信号,具有冷结补偿功能,可提高测量精度。

应用信息:适用于高精度温度测量场合,如工业控制、医疗设备等。

封装信息:MAX31855采用SOIC封装。
MAPRST1030-1KS 价格&库存

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