1. 物料型号:
- MASWSS0181:散装封装。
- MASWSS0181TR:1000片卷装。
- MASWSS0181TR-3000:3000片卷装。
- MASWSS0181SMB:样品测试板。
2. 器件简介:
- M/A-COM的MASWSS0181是一款砷化镓phemt工艺制成的单刀双掷(SPDT)高功率开关,采用无铅SOT-26封装。该器件非常适合需要高功率、低控制电压、低插入损耗、高隔离度、小尺寸和低成本的应用。
3. 引脚分配:
- 1号引脚:RF1,射频端口1。
- 2号引脚:GND,射频地。
- 3号引脚:RF2,射频端口2。
- 4号引脚:V2,控制2。
- 5号引脚:RFC,射频公共端口。
- 6号引脚:V1,控制1。
4. 参数特性:
- 低电压操作:2.5V。
- 谐波:<-67dBc在+34dBm和1GHz。
- 低插入损耗:1GHz时为0.40dB。
- 高隔离度:2GHz时为20dB。
- 采用0.5微米砷化镓phemt工艺。
- 无铅SOT-26封装。
- 100%铜上镀锡。
- 无卤素“绿色”模具化合物。
- 260°C回流兼容。
- 符合RoHS标准的MASWSS0006版本。
5. 功能详解:
- MASWSS0181采用0.5微米门长砷化镓phemt工艺制造,具有全被动化特性,以提高性能和可靠性。
6. 应用信息:
- 典型应用包括GSM和DCS手机系统,它们将独立的发射和接收功能连接到共同的天线,以及其他相关手机和通用应用。该部件可用于所有需要低控制电压下高功率且工作频率高达3GHz的系统。
7. 封装信息:
- 该器件采用无铅SOT-26塑料封装,具体封装细节可参考应用说明M538了解无铅焊接回流的建议。