MRF173

MRF173

  • 厂商:

    MACOM

  • 封装:

  • 描述:

    MRF173 - N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET - Tyco Electronics

  • 数据手册
  • 价格&库存
MRF173 数据手册
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MRF173/D The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement Mode MOSFET Designed for broadband commercial and military applications up to 200 MHz frequency range. The high–power, high–gain and broadband performance of this device make possible solid state transmitters for FM broadcast or TV channel frequency bands. • Guaranteed Performance at 150 MHz, 28 V: Output Power = 80 W Gain = 11 dB (13 dB Typ) Efficiency = 55% Min. (60% Typ) • Low Thermal Resistance • Ruggedness Tested at Rated Output Power • Nitride Passivated Die for Enhanced Reliability • Low Noise Figure — 1.5 dB Typ at 2.0 A, 150 MHz • Excellent Thermal Stability; Suited for Class A Operation G S MRF173 80 W, 28 V, 175 MHz N–CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET D CASE 211–11, STYLE 2 MAXIMUM RATINGS Rating Drain–Source Voltage Drain–Gate Voltage Gate–Source Voltage Drain Current — Continuous Total Device Dissipation @ TC = 25°C Derate above 25°C Storage Temperature Range Operating Temperature Range Symbol VDSS VDGO VGS ID PD Tstg TJ Value 65 65 ±40 9.0 220 1.26 –65 to +150 200 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Watts W/°C °C °C THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Thermal Resistance, Junction to Case Symbol RθJC Max 0.8 Unit °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit OFF CHARACTERISTICS Drain–Source Breakdown Voltage (VDS = 0 V, VGS = 0 V) ID = 50 mA Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 28 V, VGS = 0 V) Gate–Source Leakage Current (VGS = 40 V, VDS = 0 V) V(BR)DSS IDSS IGSS 65 — — — — — — 2.0 1.0 V mA µA ON CHARACTERISTICS Gate Threshold Voltage (VDS = 10 V, ID = 50 mA) Drain–Source On–Voltage (VDS(on), VGS = 10 V, ID = 3.0 A) Forward Transconductance (VDS = 10 V, ID = 2.0 A) VGS(th) VDS(on) gfs 1.0 — 1.8 3.0 — 2.2 6.0 1.4 — V V mhos (continued) NOTE — CAUTION — MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and packaging MOS devices should be observed. REV 10 1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued (TC = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit DYNAMIC CHARACTERISTICS Input Capacitance (VDS = 28 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz) Output Capacitance (VDS = 28 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz) Reverse Transfer Capacitance (VDS = 28 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz) Ciss Coss Crss — — — 110 105 10 — — — pF pF pF FUNCTIONAL CHARACTERISTICS Noise Figure (VDD = 28 V, f = 150 MHz, IDQ = 50 mA) Common Source Power Gain (VDD = 28 V, Pout = 80 W, f = 150 MHz, IDQ = 50 mA) Drain Efficiency (VDD = 28 V, Pout = 80 W, f = 150 MHz, IDQ = 50 mA) Electrical Ruggedness (VDD = 28 V, Pout = 80 W, f = 150 MHz, IDQ = 50 mA) Load VSWR 30:1 at all phase angles Series Equivalent Input Impedance (VDD = 28 V, Pout = 80 W, f = 150 MHz, IDQ = 50 mA) Series Equivalent Output Impedance (VDD = 28 V, Pout = 80 W, f = 150 MHz, IDQ = 50 mA) NF Gps η ψ — 11 55 1.5 13 60 — — — dB dB % No Degradation in Output Power Zin Zout — — 2.99–j4.5 2.68–j1.3 — — Ohms Ohms R2 R1 C8 + - C11 C10 RFC2 D.U.T. RFC1 C12 + - VDD = 28 V C13 C14 Vdc + - C9 Z1 RF INPUT C1 C2 C16 L1 C3 L2 R3 L3 C4 C5 L4 C15 C6 C7 RF OUTPUT C1, C15 — 470 pF Unelco C2, C3, C5 — 9–180 pF, Arco 463 C4, C6 — 15 pF, Unelco C7 — 5–80 pF, Arco 462 C8, C10, C14, C16 — 0.1 µF C9, C13 — 50 µF, 50 Vdc C11, C12 — 680 pF, Feed Through L1 — #16 AWG, 1–1/4 Turns, 0.3″ ID L2 — #16 AWG Hairpin 1″ long L3 — #14 AWG Hairpin 0.8″ long L4 — #14 AWG Hairpin 1.1″ long RFC1 — Ferroxcube VK200–19/4B RFC2 — 18 Turns #18 AWG Enameled, 0.3 ″ ID R1 — 10 kΩ, 10 Turns Bourns R2 — 1.8 kΩ, 1/4 W R3 — 10 kΩ, 1/2 W Z1 — 1N5925A Motorola Zener Figure 1. 150 MHz Test Circuit REV 10 2 TYPICAL CHARACTERISTICS 120 f = 100 MHz Pout , OUTPUT POWER (WATTS) 100 80 60 40 20 0 0 1 2 3 4 5 6 7 150 MHz 200 MHz 80 70 Pout , OUTPUT POWER (WATTS) 60 50 40 f = 100 MHz 150 MHz 200 MHz 30 20 VDD = 28 V IDQ = 50 mA 10 0 0 2.0 4.0 6.0 8.0 10 VDD = 13.5 V IDQ = 50 mA 12 14 Pin, INPUT POWER (WATTS) 8 9 10 Pin, INPUT POWER (WATTS) Figure 2. Output Power versus Input Power Figure 3. Output Power versus Input Power 140 Pout , OUTPUT POWER (WATTS) 120 100 80 60 40 20 0 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 1.0 W IDQ = 50 mA f = 100 MHz Pin = 4.0 W 3.0 W 2.0 W 140 Pout , OUTPUT POWER (WATTS) 120 100 80 60 40 20 0 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 2.0 W IDQ = 50 mA f = 150 MHz Pin = 8.0 W 6.0 W 4.0 W VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS) VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS) Figure 4. Output Power versus Supply Voltage Figure 5. Output Power versus Supply Voltage 140 Pout , OUTPUT POWER (WATTS) Pin = 14 W 10 W G PS , POWER GAIN (dB) 120 100 80 60 40 20 0 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 6.0 W 4.0 W IDQ = 50 mA f = 200 MHz 22 20 18 16 14 12 10 8.0 6.0 4.0 2.0 20 40 60 80 100 120 140 160 f, FREQUENCY (MHz) 180 200 220 Pout = 80 W VDD = 28 V IDQ = 50 mA VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS) Figure 6. Output Power versus Supply Voltage Figure 7. Power Gain versus Frequency REV 10 3 80 Pout , OUTPUT POWER (WATTS) 70 60 50 40 30 20 10 0 -14 -12 -10 -8.0 -6.0 -4.0 -2.0 0 2.0 VGS, GATE-SOURCE VOLTAGE (VOLTS) 4.0 6.0 f = 150 MHz Pin = CONSTANT VDS = 28 V IDQ = 50 mA VGS(th) = 3.0 V 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0 0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 VGS, GATE-SOURCE VOLTAGE (VOLTS) 6.0 VDS = 10 V VGS(th) = 3.0 V Figure 8. Output Power versus Gate Voltage ID , DRAIN CURRENT (AMPS) Figure 9. Drain Current versus Gate Voltage VGS , GATE SOURCE VOLTAGE (NORMALIZED) 1.2 VDS = 28 V 1.1 1.0 0.9 ID = 3.0 A 1.0 A 500 mA 50 mA 420 360 C oss, CAPACITANCE (pF) 300 240 180 120 60 0 25 50 75 100 125 150 175 0 0 4 Crss Ciss 140 120 100 80 60 Crss , C iss, CAPACITANCE (pF) VGS = 0 V FREQ = 1 MHz Coss 40 20 28 0 0.8 0.7 -25 TC, CASE TEMPERATURE (C°) 8 12 16 20 24 VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (VOLTS) Figure 10. Gate–Source Voltage versus Case Temperature Figure 11. Capacitance versus Drain Voltage 10 ID , DRAIN CURRENT (AMPS) 5.0 2.0 1.0 0.5 0.2 0.1 1.0 2.0 4.0 6.0 10 20 40 VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (VOLTS) 60 100 TC = 25°C Figure 12. DC Safe Operating Area REV 10 4 ÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁ Á Á Á Á Á Á Á ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Á Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Á Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ 5 REV 10 f MHz 440 430 420 410 400 390 380 370 360 350 340 330 320 310 300 290 280 270 260 250 240 230 220 210 200 190 180 170 160 150 140 130 120 100 110 90 80 70 60 50 40 30 0.930 0.929 0.929 0.927 0.926 0.925 0.923 0.921 0.920 0.919 0.919 0.917 0.916 0.917 0.915 0.914 0.913 0.909 0.909 0.907 0.907 0.904 0.902 0.902 0.899 0.899 0.898 0.896 0.896 0.894 0.893 0.892 0.888 0.890 0.888 0.888 0.888 0.885 0.885 0.883 0.879 0.911 |S11| S11 Table 1. Common Source S–Parameters (VDS = 12.5 V, ID = 4 A) –180 –180 –179 –179 –179 –178 –178 –177 –176 –175 –174 –173 –170 173 173 174 174 174 175 175 175 175 175 176 176 176 176 176 177 177 177 177 178 178 178 178 179 179 179 179 179 180 ∠φ |S21| 0.45 0.46 0.49 0.51 0.51 0.54 0.56 0.57 0.60 0.62 0.65 0.65 0.69 0.70 0.74 0.74 0.78 0.83 0.85 0.90 0.95 0.97 1.08 1.12 1.15 1.25 1.28 1.38 1.51 1.58 1.73 1.84 2.02 2.28 2.45 2.71 3.06 3.57 4.21 4.94 6.19 8.09 S21 ∠φ 32 32 31 33 34 36 34 35 37 36 38 37 39 41 42 42 45 46 48 49 48 49 51 53 55 57 58 60 61 64 66 67 69 70 72 76 77 77 81 84 87 92 0.076 0.072 0.071 0.070 0.067 0.065 0.063 0.061 0.059 0.057 0.055 0.055 0.052 0.048 0.047 0.044 0.044 0.042 0.039 0.039 0.037 0.037 0.034 0.032 0.030 0.030 0.028 0.026 0.026 0.024 0.023 0.022 0.021 0.020 0.019 0.018 0.017 0.017 0.017 0.016 0.016 0.014 |S12| S12 ∠φ 73 72 71 73 75 71 71 71 72 72 70 71 71 73 72 69 69 68 68 67 65 65 65 63 63 62 60 60 56 55 55 52 50 46 43 42 37 34 30 28 24 23 0.904 0.901 0.926 0.942 0.902 0.907 0.900 0.929 0.918 0.887 0.898 0.885 0.912 0.909 0.877 0.882 0.893 0.895 0.888 0.896 0.884 0.941 0.893 0.899 0.884 0.890 0.871 0.850 0.863 0.887 0.880 0.870 0.872 0.859 0.858 0.842 0.852 0.849 0.845 0.853 0.839 0.839 |S22| S22 –180 –179 –180 –179 –179 –178 –179 –174 170 170 169 170 173 171 172 172 172 174 173 173 175 176 175 174 175 176 176 177 176 176 178 178 178 178 179 179 180 180 179 180 179 180 ∠φ ÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁ Á Á Á Á Á Á Á ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á Á Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ Á Á Á Á Á Á Á Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁ Á Á Á Á Á Á Á Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Á Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Á Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ 6 REV 10 f MHz f MHz 350 340 330 320 310 300 290 280 270 260 250 240 230 220 210 200 190 180 170 160 150 140 130 120 100 500 490 480 470 460 450 110 90 80 70 60 50 40 30 0.926 0.926 0.924 0.922 0.922 0.919 0.918 0.916 0.912 0.913 0.909 0.906 0.905 0.901 0.898 0.896 0.891 0.890 0.886 0.884 0.883 0.877 0.875 0.871 0.865 0.866 0.861 0.859 0.859 0.854 0.853 0.849 0.840 0.931 0.931 0.931 0.933 0.932 0.932 |S11| |S11| Table 1. Common Source S–Parameters (VDS = 12.5 V, ID = 4 A) (continued) S11 S11 Table 2. Common Source S–Parameters (VDS = 28 V, ID = 4 A) –180 –180 –179 –179 –179 –179 –178 –178 –177 –177 –177 –176 –176 –175 –175 –174 –174 –172 –171 –170 –167 –163 177 177 177 178 178 178 179 179 179 180 180 171 171 172 172 172 173 ∠φ ∠φ 11.48 |S21| |S21| 0.71 0.74 0.75 0.80 0.83 0.87 0.88 0.93 0.10 1.03 1.19 1.22 1.36 1.41 1.47 1.62 1.66 1.82 1.99 2.10 2.31 2.49 2.75 3.12 3.39 3.77 4.29 5.00 5.92 6.99 8.80 0.41 0.41 0.42 0.42 0.44 0.45 1.11 S21 S21 ∠φ ∠φ 24 27 26 27 31 31 31 34 35 37 39 38 38 41 43 46 48 49 51 53 56 59 60 63 64 67 71 73 74 79 82 86 92 27 28 29 30 30 29 0.054 0.053 0.054 0.051 0.046 0.044 0.041 0.042 0.041 0.038 0.037 0.034 0.033 0.032 0.031 0.030 0.027 0.025 0.023 0.023 0.023 0.023 0.021 0.019 0.018 0.018 0.019 0.018 0.018 0.017 0.017 0.017 0.016 0.092 0.089 0.086 0.081 0.082 0.079 |S12| |S12| S12 S12 ∠φ ∠φ 77 74 74 73 74 74 73 74 72 70 68 67 70 70 67 63 60 59 61 58 55 51 45 42 41 40 38 30 25 23 24 22 20 71 72 72 73 71 75 0.879 0.897 0.878 0.879 0.863 0.837 0.865 0.876 0.859 0.837 0.831 0.845 0.906 0.855 0.842 0.819 0.815 0.820 0.806 0.807 0.806 0.776 0.783 0.794 0.782 0.768 0.735 0.741 0.746 0.746 0.748 0.713 0.718 0.936 0.926 0.933 0.908 0.938 0.924 |S22| |S22| S22 S22 –180 –180 –178 –178 –178 –178 –178 –177 –176 –175 –176 –176 –176 –175 –172 –175 –177 –176 –174 –174 –175 –175 –174 –174 –169 179 177 176 177 180 179 178 179 167 167 168 168 167 170 ∠φ ∠φ ÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁ Á Á Á Á Á Á Á ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Á Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Á Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Table 2. Common Source S–Parameters (VDS = 28 V, ID = 4 A) (continued) S11 S21 S12 ∠φ ∠φ 26 24 23 25 22 21 20 21 21 19 19 18 18 18 17 ∠φ 75 73 72 74 78 77 74 73 75 78 75 75 74 72 72 f MHz 360 370 380 390 400 410 420 430 440 450 460 470 480 490 500 S22 |S11| |S21| 0.68 0.64 0.62 0.60 0.57 0.56 0.53 0.51 0.49 0.48 0.47 0.45 0.44 0.43 0.42 |S12| |S22| ∠φ 0.927 0.929 0.931 0.934 0.934 0.936 0.938 0.938 0.939 0.941 0.941 0.942 0.940 0.940 0.940 177 177 176 176 176 175 175 174 174 174 173 173 173 172 172 0.056 0.058 0.062 0.064 0.065 0.068 0.070 0.072 0.075 0.080 0.082 0.080 0.083 0.088 0.092 0.888 0.893 0.885 0.903 0.898 0.931 0.906 0.885 0.895 0.923 0.940 0.904 0.910 0.906 0.927 177 175 174 174 177 175 173 173 172 172 171 172 171 169 168 DESIGN CONSIDERATIONS The MRF173 is a RF MOSFET power N–channel enhancement mode field–effect transistor (FET) designed for VHF power amplifier applications. M/A-COM RF MOSFETs feature a vertical structure with a planar design, thus avoiding the processing difficulties associated with V–groove power FETs. M/A-COM Application Note AN211A, FETs in Theory and Practice, is suggested reading for those not familiar with the construction and characteristics of FETs. The major advantages of RF power FETs include high gain, low noise, simple bias systems, relative immunity from thermal runaway, and the ability to withstand severely mismatched loads without suffering damage. Power output can be varied over a wide range with a low power dc control signal, thus facilitating manual gain control, ALC and modulation. DC BIAS The MRF173 is an enhancement mode FET and, therefore, does not conduct when drain voltage is applied. Drain current flows when a positive voltage is applied to the gate. See Figure 9 for a typical plot of drain current versus gate voltage. RF power FETs require forward bias for optimum performance. The value of quiescent drain current (I DQ ) is not critical for many applications. The MRF173 was characterized at IDQ = 50 mA, which is the suggested minimum value of IDQ. For special applications such as linear amplification, IDQ may have to be selected to optimize the critical parameters. The gate is a dc open circuit and draws no current. Therefore, the gate bias circuit may generally be just a simple resistive divider network. Some special applications may require a more elaborate bias system. GAIN CONTROL Power output of the MRF173 may be controlled from its rated value down to zero (negative gain) by varying the dc gate voltage. This feature facilitates the design of manual gain control, AGC/ALC and modulation systems. (see Figure 8.) AMPLIFIER DESIGN Impedance matching networks similar to those used with bipolar VHF transistors are suitable for MRF173. See M/A-COM Application Note AN721, Impedance Matching Networks Applied to RF Power Transistors. The higher input impedance of RF MOSFETs helps ease the task of broadband network design. Both small–signal scattering parameters and large–signal impedances are provided. While the s–parameters will not produce an exact design solution for high power operation, they do yield a good first approximation. This is an additional advantage of RF MOS power FETs. REV 10 7 PACKAGE DIMENSIONS A U M 1 NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH. Q M 4 R B 2 3 D K J H C E SEATING PLANE DIM A B C D E H J K M Q R U INCHES MIN MAX 0.960 0.990 0.465 0.510 0.229 0.275 0.216 0.235 0.084 0.110 0.144 0.178 0.003 0.007 0.435 --45 _NOM 0.115 0.130 0.246 0.255 0.720 0.730 MILLIMETERS MIN MAX 24.39 25.14 11.82 12.95 5.82 6.98 5.49 5.96 2.14 2.79 3.66 4.52 0.08 0.17 11.05 --45 _NOM 2.93 3.30 6.25 6.47 18.29 18.54 STYLE 2: PIN 1. 2. 3. 4. SOURCE GATE SOURCE DRAIN CASE 211–11 ISSUE N Specifications subject to change without notice. n North America: Tel. (800) 366-2266, Fax (800) 618-8883 n Asia/Pacific: Tel.+81-44-844-8296, Fax +81-44-844-8298 n Europe: Tel. +44 (1344) 869 595, Fax+44 (1344) 300 020 Visit www.macom.com for additional data sheets and product information. REV 10 8
MRF173 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“MRF173”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货