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1EZ140D5

1EZ140D5

  • 厂商:

    MCC(美微科)

  • 封装:

  • 描述:

    1EZ140D5 - 1.0 W Silicon Zener Diodes 100 to 200 Volts - Micro Commercial Components

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1EZ140D5 数据手册
MCC Features   omponents 21201 Itasca Street Chatsworth    !"# $ %    !"# 1EZ110D5 THRU 1EZ200D5 1.0 W Silicon Zener Diodes 100 to 200 Volts DO-41 • • • • Zener Voltage 100V to 200V Silicon Planar Power Zener Diodes Low profile package Glass passivated junction • • • Mechanical Data Case: Molded plastic, DO-41 Polarity: Color band denotes cathode end Weight: 0.012 ounce, 0.3 gram Maximum Ratings Symbol Peak Pulse Power Dissipation on TA=50 oC (1) Derate above 50 oC Junction Temperature Storage Temperature Range PD TJ TSTG Value 1.0 6.67 150 -55 to 150 Units W mW/ oC o C o C D A Cathode Mark B D Electrical Characteristics @ 25° C Unless Otherwise Specified Peak Forward Surge Current (2) Maximum Forward Voltage @ I F=200mA Symbol IFSM VF Value 10 1.2 Unit A V C NOTE: (1) Mounted on 5.0mm2 (.013mm thick) land areas. (2) Measured on 8.0ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle=4 pulses per minute maximum. DIMENSIONS INCHES DIM M IN A B C D 0.160 0.080 0.028 1.000 MAX 0.205 0.107 0.034 ----MIN 4.10 2.00 0.71 25.40 MAX 5.20 2.70 0.86 ----Diameter Diameter MM NOTE www.mccsemi.com 1EZ110D5 thru 1EZ200D5 MCC MAXIMUM ZENER IMPEDANCE (3) ZZT Ohms 450 550 700 900 1000 1100 1150 1200 1350 1500 ZZK Ohms 4000 4500 5000 5500 6000 6500 6800 7000 7500 8000 IZK mA 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 LEAKAGE CURRENT IR ìA 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 VR V 83.6 91.2 98.8 106.4 114.0 121.6 129.2 136.8 144.4 152.0 TYPICAL TEMP. COEFFICIENT %/ oC +0.095 +0.095 +0.095 +0.095 +0.095 +0.095 +0.095 +0.095 +0.095 +0.100 MCC PART NUMBER 1EZ110D5 1EZ120D5 1EZ130D5 1EZ140D5 1EZ150D5 1EZ160D5 1EZ170D5 1EZ180D5 1EZ190D5 1EZ200D5 ZENER VOLTAGE @TEST CURRENT (1,2) VZ V 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 IZT mA 2.3 2.0 1.9 1.8 1.7 1.6 1.5 1.4 1.3 1.2 Note: (1) Specials Available Include: A: Nominal zener voltages between the voltages shown and tighter voltage Tolerances. B: Matched sets. (2) Zener Voltage (V Z) Measurement. Guarantess the zener voltage when measured at 90 seconds while maintaining the lead temperature (TL) at 30 oC + or - 1 oC, from the diode body. (3) Zener Impedance (ZZ) Derivation. The zener impedance is derived from the 60 cycle ac voltage, which results when an ac current having an rms value equal to 10% of the dc zener current (IZT or IZK) is superimposed on IZT or IZK. PD, MAXIMUM POWER DISSIPATION (WATTS) 1.25 1.0 0.75 0.50 0.25 0 0 L = LEAD LENTGH TO HEAT SINK 20 40 8 0 1 00 1 20 1 40 1 60 180 2 00 TL, LEAD TEMPERATURE Fig. 1-POWER TEMPERATURE DERATING CURVE www.mccsemi.com 1EZ110D5 thru 1EZ200D5 MCC £K VZ, TEMPERATURE COEFFICIENT(mV/W) 100 70 50 30 20 10 7.0 5.0 3.0 2.0 1.0 10 RANGE VZ @ IZT 20 30 70 VZ, ZENER VOLTAGE (VOLTS) Fig. 2-TEMPERATURE COEFFICIENTS 1000 Zz, dynamic impedance (ohms) 500 200 100 50 20 10 5.0 TJ = 25¢J IZ(ms) = 0.1IZ(dc) f = 60Hz 47V 27V 0.8V 2.0 1.0 0.1 0.2 0.5 1.0 2 .0 5.0 10 20 50 100 IZ, ZENER CURRENT (mA) Fig. 3-EFFECT OF ZENER CURRENT ON ZENER IMPEDANCE www.mccsemi.com
1EZ140D5
1. 物料型号: - 型号为1EZ110D5至1EZ200D5,这是一系列硅齐纳二极管,电压范围从100V到200V。

2. 器件简介: - 这些器件是1.0W的硅齐纳二极管,具有100V到200V的齐纳电压。它们采用低轮廓封装,玻璃钝化结。

3. 引脚分配: - 器件的极性由色带表示阴极端,采用DO-41封装,这是一种模塑塑料封装。

4. 参数特性: - 最大额定值包括1.0W的耗散功率,6.67mW/°C的功率递减率,150℃的结温,以及-55至150℃的存储温度范围。

5. 功能详解: - 电气特性在25°C下,除非另有说明,包括10A的峰值正向浪涌电流和在200mA正向电流下1.2V的最大正向电压。

6. 应用信息: - 这些齐纳二极管适用于需要稳定电压的应用,如电源、信号处理等。

7. 封装信息: - 封装为DO-41,具体尺寸包括直径和高度等参数。
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