1. 物料型号:
- BD882-R
- BD882-O
- BD882-Y
- BD882-GR
2. 器件简介:
- 该器件是硅NPN外延平面晶体管,封装为SOT-89。
3. 引脚分配:
- 1. BASE(基极)
- 2. COLLECTOR(集电极)
- 3. EMITTER(发射极)
4. 参数特性:
- 最大额定值(@ 25°C):
- VCEO(集电极-发射极电压):30V
- VcBO(集电极-基极电压):40V
- VEBO(发射极-基极电压):6V
- Ic(集电极电流-连续):3A
- Pc(集电极耗散):0.5W
- 操作结温:150°C
- 存储温度:-55至+150°C
- 电气特性(@ 25°C):
- V(BRCEO)(集电极-发射极击穿电压):30V
- V(BRC8O)(集电极-基极击穿电压):40V
- VBREBO(集电极-发射极击穿电压):6V
- Ic8o(集电极截止电流):1uA
- ICEO(集电极截止电流):10uA
- EBO(发射极截止电流):1uA
- hFE(直流电流增益):60至400
- VCE(ss)(集电极-发射极饱和电压):0.5V
- VBE(sat)(基极-发射极饱和电压):1.5V
- f1(转换频率):50MHz
5. 功能详解:
- 该晶体管为硅NPN外延平面晶体管,具有高增益和低噪声特性,适用于音频放大器、开关应用等。
6. 应用信息:
- 适用于音频放大器、开关应用等。
7. 封装信息:
- 封装类型为SOT-89,具体尺寸参数如下:
- A(宽度):0.173至0.181英寸(4.39至4.60毫米)
- B(参考尺寸):0.061英寸(1.55毫米)
- C(长度):0.154至0.165英寸(3.91至4.25毫米)
- D(高度):0.031至0.039英寸(0.80至1.00毫米)
- E(深度):0.092至0.100英寸(2.34至2.54毫米)
- F(典型尺寸):0.118英寸(3.00毫米)
- G(厚度):0.013至0.019英寸(0.33至0.48毫米)
- H(引脚间距):0.015至0.021英寸(0.38至0.53毫米)
- J(引脚宽度):0.015至0.016英寸(0.38至0.41毫米)
- K(引脚长度):0.055至0.063英寸(1.40至1.60毫米)