### 物料型号
- 型号范围:BZX84C2V4W至BZX84C39W,覆盖从2.4V至39V的齐纳电压。
### 器件简介
- 类型:硅200毫瓦齐纳二极管。
- 特点:平面芯片结构,适用于自动化装配过程。
### 引脚分配
- 封装:SOT-23和SOT-323塑料封装。
- 引脚:符合MIL-STD-202方法208的可焊性。
### 参数特性
- 最大额定值:
- 齐纳电流(IF):100mA
- 最大正向电压(VF):1.2V
- 功率耗散(P(AV)):200mW
- 操作和存储温度(TJ, TSTG):-55°C至+150°C
- 峰值正向浪涌电流(IFSM):2.0A(8.3ms半周期)
### 功能详解
- 电气特性:在25°C下,所有类型的二极管最大正向电压(VF)为1.2V,齐纳电流(IF)为100mA。
- 齐纳电压(VZ):在测试条件下,保证齐纳电压在90秒内维持在指定值。
- 齐纳阻抗(ZZ):从60Hz交流电压中得出,当交流电流的均方根值等于直流齐纳电流的10%时。
### 应用信息
- 应用:这些二极管适用于需要稳定电压的各种电路。
### 封装信息
- 尺寸:详细尺寸以英寸和毫米提供,包括最小和最大值。
- 重量:大约0.008克。