### 物料型号
- 型号范围:BZX84C2V4W至BZX84C39W,覆盖从2.4V至39V的齐纳电压。
### 器件简介
- 这些是硅齐纳二极管,具有200mW的功率耗散能力,采用平面芯片结构,适合自动化装配过程。
### 引脚分配
- 封装形式:SOT-23和SOT-323塑料封装。
- 引脚:可焊性符合MIL-STD-202方法208。
### 参数特性
- 最大额定值在25°C下,除非另有说明。
- 齐纳电流(IF):100mA
- 最大正向电压(VF):1.2V
- 功率耗散(P(AV)):200mW
- 操作和存储温度(TJ, TSTG):-55°C至+150°C
- 峰值正向浪涌电流(IFSM):2.0A(8.3ms半周期)
### 功能详解
- 这些二极管具有不同的齐纳电压等级,用于过压保护。
- 齐纳阻抗(ZZ)是从60Hz交流电压推导出来的,该电压是在齐纳电流(IZT或IZK)上叠加的,其有效值等于直流齐纳电流的10%。
### 应用信息
- 适用于需要过压保护的电路,如电源、电子设备等。
### 封装信息
- 封装尺寸和重量:重量约为0.008克,具体尺寸参数在PDF中有详细图表说明。