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LLSD103B

LLSD103B

  • 厂商:

    MCC(美微科)

  • 封装:

  • 描述:

    LLSD103B - Schottky Barrier Switching Diode - Micro Commercial Components

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
LLSD103B 数据手册
MCC Features l l l Low Reverse Recovery Time Low Reverse Capacitance Low Forward Voltage Drop   omponents 21201 Itasca Street Chatsworth    !"# $ %    !"# LLSD103A THRU LLSD103C Schottky Barrier Switching Diode l Guard Ring Construction for Transient Protection Mechanical Data l Case: MiniMELF, Glass l Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208 l Polarity: Indicated by Cathode Band l Weight: 0.05 grams ( approx.) MINIMELF Maximum Ratings @ 25oC Unless Otherwise Specified Characteristic Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage RMS Reverse Voltage Forward Continuous Current(Note1) Maximum Single cycle surge 60Hz sine wave Power Dissipation(Note 1) Thermal Resistance(Note 1) Operation/Storage Temp. Range Symbol LLSD103A LLSD103B LLSD103C VRRM VRWM VR VR(RMS) IFM IFSM Pd R Tj, TSTG 28V 21V 350mA 15A DIMENSION 400mW 250K/W -55 to 150 C o Cathode Mark C 40V 30V 20V B 14V A DIM A B C INCHES MIN .134 .008 .055 MAX .142 .016 .059 MIN 3.40 0.20 1.40 MM MAX 3.60 0.40 1.50 NOTE Electrical Characteristics @ 25oC Unless Otherwise Specified Charateristic Peak Reverse Current LLSD103A LLSD103B LLSD103C VF M --------0.37V 0 .60V Symbol Min Typ Max Test Cond. V R =30V SUGGESTED SOLDER PAD LAYOUT 0.105 IRM ----- ----- 5.0uA V R =20V V R =10V IF =20mA IF =200mA V R =0V, f=1.0MHz IF =IR =50mA to 200mA, recover to 0.1 I R 0.030” 0.075” M aximum Forward Voltage Drop Junction Capacitance Reverse Recovery Time Cj trr --------- 50 10 pF ns Note: 1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature www.mccsemi.com LLSD103A thru LLSD103C MCC 5 tp = 300µs duty cycle = 2% 1000 IF, FORWARD CURRENT (mA) IF, FORWARD CURRENT (A) 0 0.5 VF, FORWARD VOLTAGE (V) Fig. 1 Typical Forward Characteristics 1.0 100 4 10 3 1.0 2 0.10 1 0.01 0 0 0.5 1.0 1.5 VF, FORWARD VOLTAGE (V) Fig. 2 Typical High Current Fwd Characteristics 50 40 VR, REVERSE VOLTAGE (V) 100mA 30 IF = 400mA 200mA 20 10 0 0 100 TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C) Fig. 3 Blocking Voltage Derating Curves 200 www.mccsemi.com
LLSD103B
1. 物料型号: - LLSD103A - LLSD103B - LLSD103C

2. 器件简介: - 这些是肖特基势垒整流二极管,具有低反向恢复时间、低反向电容、低正向电压降等特点,并带有瞬态保护的防护环结构。

3. 引脚分配: - 极性通过阴极带表示。

4. 参数特性: - 最大重复反向电压(VRRM):LLSD103A为40V,LLSD103B为30V,LLSD103C为20V。 - 正向连续电流(IFM):LLSD103A为350mA。 - 最大单周期60Hz正弦波冲击电流(IFSM):LLSD103A为15A。 - 功率耗散(Pd):400mW。 - 热阻(R):250K/W。 - 工作/存储温度范围(Tj, TSTG):-55至150°C。

5. 功能详解: - 器件具有低反向恢复时间、低反向电容和低正向电压降,适用于需要快速开关的应用。 - 采用防护环结构,增强了对瞬态电压的保护能力。

6. 应用信息: - 适用于需要快速开关和高效率整流的应用场合,如电源、变频器和电机驱动等。

7. 封装信息: - 封装类型为MiniMELF,材料为玻璃。 - 引脚可焊性符合MIL-STD-202方法208。 - 尺寸数据以英寸和毫米提供,具体数值请参考PDF文档中的图表。
LLSD103B 价格&库存

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