MCAC60P06-TP

物料型号：MCAC60P06

器件简介： - 采用沟槽MOSFET技术 - 高密度单元设计，以实现低RDS(ON) - 湿度敏感等级1 - 无卤素“绿色”器件（注1） - 环氧树脂符合UL 94 V-0可燃性等级，无铅表面处理/符合RoHS（"P"后缀表示符合RoHS。详见订购信息）

引脚分配： - 1: D（漏极） - 2: G（栅极） - 3: S（源极） - 封装类型为DFN5060，P沟道MOSFET

参数特性： - 最大额定值包括工作结温范围-55°C至+175°C，存储温度范围-55°C至+175°C，热阻50°C/W（结到环境）和1.15°C/W（结到外壳） - 漏源电压VDs为-60V - 栅源电压VGs为±20V - 连续漏电流在25°C时为-60A，在100°C时为-42A - 脉冲漏电流（注3）为-240A - 总功率耗散PD为130W - 单脉冲雪崩能量EAS为225mJ

功能详解： - 静态特性包括漏源击穿电压、栅源漏电流、零栅源电压漏电流、栅源阈值电压和漏源导通电阻等 - 二极管特性包括连续体二极管电流、二极管正向电压、反向恢复时间和反向恢复电荷 - 动态特性包括输入电容、输出电容、反向传输电容、总栅电荷、栅源电荷、栅漏电荷、开通延迟时间、开通上升时间、关断延迟时间和关断下降时间

应用信息： - 曲线特性包括典型输出特性、RDS(ON)与VGS的关系、电容特性、阈值电压和导通电阻特性、IS与VSD的关系、漏电流特性、功耗耗散和安全工作区等

封装信息： - 提供了详细的尺寸信息，包括最小和最大尺寸，以及典型值 - 订购信息包括部件编号和包装方式，例如Part Number-TP，5Kpcs/Reel的卷带包装

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