### 物料型号
- 型号：MCB110P06Y
### 器件简介
- 技术：Split Gate Trench MOSFET技术，具有出色的稳定性和均匀性。
- 环保：无卤素，符合“绿色”产品定义，即含有小于900ppm的溴、小于900ppm的氯（总计1500ppm的Br+Cl）和小于1000ppm的锑化合物。
- 封装：D2-PAK封装，环氧树脂符合UL 94 V-0可燃性等级，无铅表面处理/符合RoHS（"P"后缀表示符合RoHS，详见订购信息）。
### 引脚分配
- 1. GATE（栅极）
- 2. DRAIN（漏极）
- 3. SOURCE（源极）
### 参数特性
- 漏源电压（VDs）：-60V
- 栅源电压（VGs）：±20V
- 漏极电流-连续（ID）：25°C时-110A，100°C时-69A
- 漏极电流-脉冲（IDM）：-440A
- 功率耗散（PD）：125W
- 单脉冲雪崩能量（EAS）：625mJ
### 功能详解
- 静态特性：包括漏源击穿电压、栅源漏电流、零栅压漏电流、栅阈值电压、漏源导通电阻等。
- 二极管特性：包括连续体二极管电流、二极管正向电压、反向恢复时间、反向恢复电荷等。
- 动态特性：包括输入电容、输出电容、反向传输电容、总栅电荷、栅源电荷、栅漏电荷、开通延迟时间、开通上升时间、关断延迟时间和关断下降时间等。
### 应用信息
- 工作结温范围：-55°C至+150°C
- 存储温度范围：-55°C至+150°C
- 热阻：结到环境40°C/W，结到外壳1°C/W
### 封装信息
- 尺寸：详细尺寸参数见PDF文档中的DIMENSIONS表格，包括英寸和毫米单位的最小值和最大值。
