物料型号为 MCU110N06YB,是采用分立栅沟槽MOSFET技术的N沟道MOSFET。
器件简介包括其优秀的封装,有助于良好的散热,属于无卤素“绿色”设备,符合RoHS标准。
引脚分配为Gate 1, Drain 2, Source 3。
参数特性包括最大漏源电压60V、最大栅源电压±20V、连续漏电流110A(25°C时)等。
功能详解包括其内部结构和标码信息。
应用信息包括其在不同温度和电压下的电气特性,如漏源击穿电压、栅源漏电流等。
封装信息为DPAK(TO-252),热阻抗为Junction to Ambient 50°C/W,Junction to Case 1.5°C/W。