物料型号:MCU18P10Y
器件简介:MCU18P10Y 是一款采用分立栅沟槽 MOSFET 技术的 P 沟道 MOSFET。
它具有低导通电阻(RDS(on))和优秀的稳定性与均匀性。
此外,它还具有极低的开关损耗,无卤素的“绿色”器件,并且符合 RoHS 标准。
引脚分配:
1. GATE(门极)
2. DRAIN(漏极)
3. SOURCE(源极)
4. DRAIN(漏极)
参数特性:
- 最大额定值:
- 工作结温范围:-55°C 至 +150°C
- 存储温度范围:-55°C 至 +150°C
- 热阻:Junction to Ambient 50°C/W,Junction to Case 1.75°C/W
- 电气特性:
- 漏源电压(VDs):-100V
- 栅源电压(VGs):±20V
- 连续漏极电流(I):在 25°C 时为 -18A,在 100°C 时为 -12A
- 脉冲漏极电流(IOM):-72A
- 雪崩能量(EAS):100mJ
- 总功率耗散(P0):70W
功能详解:MCU18P10Y 的主要功能包括其作为 P 沟道 MOSFET 的基本开关功能,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于需要高效能和低功耗的应用场合。
应用信息:该器件适用于需要高效率和高稳定性的开关应用,例如电源管理、电机控制和汽车电子等领域。
封装信息:MCU18P10Y 采用 DPAK 封装,具体尺寸如下:
- A:0.087 至 0.094 英寸,2.20 至 2.40 毫米
- B:0.000 至 0.005 英寸,0.00 至 0.13 毫米
- C:0.026 至 0.034 英寸,0.66 至 0.86 毫米
- D:0.018 至 0.023 英寸,0.46 至 0.58 毫米
- E:0.256 至 0.264 英寸,6.50 至 6.70 毫米
- F:0.201 至 0.215 英寸,5.10 至 5.46 毫米
- G:0.190 英寸,4.83 毫米(典型值)
- H:0.236 至 0.244 英寸,6.00 至 6.20 毫米
- I:0.086 至 0.094 英寸,2.18 至 2.39 毫米
- J:0.386 至 0.409 英寸,9.80 至 10.40 毫米
- K:0.114 英寸,2.90 毫米(典型值)
- L:0.055 至 0.067 英寸,1.40 至 1.70 毫米
- M:0.063 英寸,1.60 毫米(典型值)
- O:0.043 至 0.051 英寸,1.10 至 1.30 毫米
- Q:0.000 至 0.012 英寸,0.00 至 0.30 毫米
- V:0.211 英寸,5.35 毫米(典型值)