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MCU18P10Y-TP

MCU18P10Y-TP

  • 厂商:

    MCC(美微科)

  • 封装:

    TO-252-2(DPAK)

  • 描述:

    表面贴装型 P 通道 100 V 18A(Tc) 70W D-Pak

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MCU18P10Y-TP 数据手册
MCU18P10Y Features • • Split Gate Trench MOSFET Technology Low RDS(on) & FOM • • • Excellent Stability and Uniformity Extremely Low Switching Loss Moisture Sensitivity Level 1 • • • Halogen Free."Green"Device(Note1) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) P-CHANNEL MOSFET Maximum Ratings • Operating Junction Temperature Range : -55°C to +150°C • Storage Temperature Range: -55°C to +150°C • Thermal Resistance: 50°C/W Junction to • Thermal Resistance: 1.75°C/W Junction to Case DPAK Ambient(Note2) J Parameter H Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -100 V C Gate-Source Volltage VGS ±20 V I -18 A -12 A IDM -72 A EAS 100 mJ PD 70 W Continuous Drain Current Pulsed Drain Current Avalanche Energy TC=25°C TC=100°C (Note3) (Note4) Total Power Dissipation ID board with 2oz. Copper, in a still air environment with TA=25°C. 3.Pulse Test: Pulse Width≤300µs,Duty Cycle ≤2%. 4.TJ=25°C, VDD=-50V, VG=-10V, L=0.5mH, Rg=25Ω. ,QWHUQDO6WUXFWXUHDQG0DUNLQJ&RGH D 1.GATE 2.DRAIN 3.SOURCE 4.DRAIN G MCC. MCU18P10Y O 4 2 F E 3 V K M Q A G L Note: 1.Halogen free"Green"products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine(<1500ppm total Br +Cl) and <1000ppm antimony compounds. 2.The value of RθJA is measured with the device mounted on 1in2 FR-4 1 DIM A B C D E F G H I J K L M O Q V DIMENSIONS INCHES MM MIN MAX MIN MAX 0.087 0.094 2.20 2.40 0.000 0.005 0.00 0.13 0.026 0.034 0.66 0.86 0.018 0.023 0.46 0.58 0.256 0.264 6.50 6.70 0.201 0.215 5.10 5.46 0.190 4.83 0.236 0.244 6.00 6.20 0.086 0.094 2.18 2.39 0.386 0.409 9.80 10.40 0.114 2.90 0.055 0.067 1.40 1.70 0.063 1.60 0.043 0.051 1.10 1.30 0.000 0.012 0.00 0.30 0.211 5.35 D B NOTE TYP. TYP. TYP. TYP. S Rev.4-2-08182023 1/6 MCCSEMI.COM MCU18P10Y Electrical Characteristics @ 25°C (Unless Otherwise Specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Static Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=-250µA Gate-Source Leakage Current IGSS VDS=0V, VGS =±20V ±100 nA Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=-100V, VGS=0V -1 µA VDS=-100V, VGS=0V, TJ=55°C -5 µA -1.8 -2.5 V VGS=-10V, ID=-10A 90 110 mΩ VGS=-4.5V, ID=-5A 100 130 mΩ ) 0+]2SHQGUDLQ 11 Drain-Source Breakdown Voltage Gate-Threshold Voltage VGS(th) Drain-Source On-Resistance RDS(on) *DWH5HVLVWDQFH 5J VDS=VGS, ID=-250µA -100 -1 V ȍ Diode Characteristics Continuous Body Diode Current IS Diode Forward Voltage VSD Reverse Recovery Time trr Reverse Recovery Charge Qrr VGS=0V, IS=-10A IS=-5A,di/dt=100A/μs -18 A -1.5 V 70 ns 140 nC Dynamic Characteristics Input Capacitance Ciss Output Capacitance Coss Reverse Transfer Capacitance Crss 18 Total Gate Charge Qg 20 Gate-Source Charge Qgs Gate-Drain Charge Qgd 4.3 Turn-On Delay Time td(on) 10 Turn-On Rise Time tr Turn-Off Delay Time td(off) Turn-Off Fall Time Rev.4-2-08182023 1050 VDS=-80V,VGS=0V,f=1MHz VDS=-50V,VGS=-10V,ID=-5A VGS=-10V,VDD=-50V,RL=2.5Ω RGEN=6Ω tf 97 3.9 30 77 pF nC ns 81 2/6 MCCSEMI.COM MCU18P10Y Curve Characteristics Fig. 1 - Typical Output Characteristics Fig. 2 - Transfer Characteristics -40 -40 VDS=-10V VGS=-10V,-8V,-6V VGS=-4V -32 Drain Current (A) Drain Current (A) -32 -24 -16 150°C -24 -16 VGS=-3V -8 -0 -8 -0 -2 -4 -6 -8 -0 -10 Drain To Source Voltage (V) -2 -4 -6 -8 -10 Gate To Source Voltage (V) Fig. 4 - Normalized On Resistance Characteristics 2.5 ID=-10A VGS=-10V 250 Normalized On Resistance Drain-Source On-Resistance (mΩ) -0 Fig. 3 - RDS(ON)—VGS 300 200 150 100 2.0 1.5 1.0 50 0 -3 -5 -4 -6 -7 -8 -9 -10 0.5 -75 -50 -25 50 75 100 125 150 -10 VDS=-50V IDS=-5A Gate-Source Voltage (V) 1600 Ciss 1200 800 Coss 400 -0 Rev.4-2-08182023 -20 -8 -6 -4 -2 Crss 0 25 Fig. 6 - Gate Charge Fig. 5 - Capacitance Characteristics 2000 0 Junction Temperature(°C) Gate To Source Voltage (V) Capacitance (pF) 25°C -40 Drain To Source Voltage (V) -60 -80 0 0 4 8 12 16 20 Gate Charge(nC) 3/6 MCCSEMI.COM MCU18P10Y Curve Characteristics 1.4 120 Threshold Voltage Normalized Drain-Source on Resistance (mΩ) Fig. 8 - Threshold Voltage Fig. 7 - RDS(ON)—ID 140 VGS=-4.5V 100 VGS=-10V 80 60 40 -0 -4 -8 -12 -16 1.2 1.0 ID= -250μA 0.8 0.6 0.4 -50 -20 -25 0 Fig. 9 - IS—VSD -10 50 75 100 125 150 Fig. 10 - ID—TJ -30 -24 -6 150°C ID-Drain Current (A) -8 Source Current (A) 25 Junction Temperature (°C) Drain Current(A) 25°C -4 -18 -12 -6 -2 -1 -0.0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -0 -1.2 0 25 50 75 100 125 150 Tc-Case Temperature (°C) Source To Drain Voltage (V) Fig. 11 - PD—TJ 100 Power Dissipation (W) 80 60 40 20 0 0 25 50 75 100 125 150 TJ-Junction Temperature (°C) Rev.4-2-08182023 4/6 MCCSEMI.COM MCU18P10Y Curve Characteristics Fig. 12 - Safe Operation Area -100 Drain Current(A) 10μs RDS(on) Limited -10 100μs DC 1ms -1 10ms -0.1 TJ(max)=150°C TC=25°C Single Pulse -0.01 -0.1 Zth(J-C) Normalized Transient Thermal Resistance 10 -1 -10 Drain-Source Voltage (V) -100 -1000 Fig. 13 - Normalized Transient Thermal Impedance D=Ton/T In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse TJ,PK=TC+PDMꞏZθJCꞏRθJC RθJC=1.75°C/W 1 Single Pulse 0.1 0.01 1E-5 PDM TON 1E-4 1E-3 0.01 T 0.1 1 Pulse Width (s) Rev.4-2-08182023 5/6 MCCSEMI.COM MCU18P10Y Ordering Information Device Packing Tape&Reel: 2.5Kpcs/Reel Part Number-TP ***IMPORTANT NOTICE*** Micro Commercial Components Corp UHVHUYHV WKH ULJKW WR PDNH FKDQJHV ZLWKRXW IXUWKHU QRWLFH WR DQ\ SURGXFW KHUHLQ WR PDNH FRUUHFWLRQV PRGLILFDWLRQV  HQKDQFHPHQWV  LPSURYHPHQWV  RU RWKHU FKDQJHV  Micro Commercial Components Corp  GRHV QRW DVVXPH DQ\ OLDELOLW\ DULVLQJ RXW RI WKH DSSOLFDWLRQ RU XVH RI DQ\ SURGXFW GHVFULEHG KHUHLQ QHLWKHU GRHV LW FRQYH\DQ\OLFHQVHXQGHULWVSDWHQWULJKWVQRUWKHULJKWVRIRWKHUV7KHXVHURISURGXFWVLQVXFKDSSOLFDWLRQVVKDOODVVXPHDOO ULVNVRIVXFKXVHDQGZLOODJUHHWRKROGMicro Commercial Components Corp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ev.4-2-08182023 6/6 MCCSEMI.COM
MCU18P10Y-TP
物料型号:MCU18P10Y

器件简介:MCU18P10Y 是一款采用分立栅沟槽 MOSFET 技术的 P 沟道 MOSFET。

它具有低导通电阻(RDS(on))和优秀的稳定性与均匀性。

此外,它还具有极低的开关损耗,无卤素的“绿色”器件,并且符合 RoHS 标准。


引脚分配: 1. GATE(门极) 2. DRAIN(漏极) 3. SOURCE(源极) 4. DRAIN(漏极)

参数特性: - 最大额定值: - 工作结温范围:-55°C 至 +150°C - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C - 热阻:Junction to Ambient 50°C/W,Junction to Case 1.75°C/W - 电气特性: - 漏源电压(VDs):-100V - 栅源电压(VGs):±20V - 连续漏极电流(I):在 25°C 时为 -18A,在 100°C 时为 -12A - 脉冲漏极电流(IOM):-72A - 雪崩能量(EAS):100mJ - 总功率耗散(P0):70W

功能详解:MCU18P10Y 的主要功能包括其作为 P 沟道 MOSFET 的基本开关功能,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于需要高效能和低功耗的应用场合。


应用信息:该器件适用于需要高效率和高稳定性的开关应用,例如电源管理、电机控制和汽车电子等领域。


封装信息:MCU18P10Y 采用 DPAK 封装,具体尺寸如下: - A:0.087 至 0.094 英寸,2.20 至 2.40 毫米 - B:0.000 至 0.005 英寸,0.00 至 0.13 毫米 - C:0.026 至 0.034 英寸,0.66 至 0.86 毫米 - D:0.018 至 0.023 英寸,0.46 至 0.58 毫米 - E:0.256 至 0.264 英寸,6.50 至 6.70 毫米 - F:0.201 至 0.215 英寸,5.10 至 5.46 毫米 - G:0.190 英寸,4.83 毫米(典型值) - H:0.236 至 0.244 英寸,6.00 至 6.20 毫米 - I:0.086 至 0.094 英寸,2.18 至 2.39 毫米 - J:0.386 至 0.409 英寸,9.80 至 10.40 毫米 - K:0.114 英寸,2.90 毫米(典型值) - L:0.055 至 0.067 英寸,1.40 至 1.70 毫米 - M:0.063 英寸,1.60 毫米(典型值) - O:0.043 至 0.051 英寸,1.10 至 1.30 毫米 - Q:0.000 至 0.012 英寸,0.00 至 0.30 毫米 - V:0.211 英寸,5.35 毫米(典型值)
MCU18P10Y-TP 价格&库存

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