MCU30P06Y-TP

厂商：
MCC(美微科)
封装：
TO-252(DPAK)
描述：
表面贴装型 P 通道 60 V 30A 72W（Tj） DPAK（TO-252）

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MCU30P06Y Features • • Split Gate Trench MOSFET Technology Low RDS(on) & FOM • • • • • • • Low Crss Extremely Low Switching Loss Excellent Stability and Uniformity Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free. “Green” Device (Note 1) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) P-CHANNEL MOSFET DPAK(TO-252) Maximum Ratings • Operating Junction Temperature Range : -55°C to +150°C • Storage Temperature Range: -55°C to +150°C • Thermal Resistance: 20°C/W Junction to Ambient(t≤10s) J H 1 C • Thermal Resistance: 50°C/W Junction to Ambient(Steady-State) • Thermal Resistance: 1.7°C/W Junction to Case(Steady-State) O 4 2 I Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Volltage VGS ±20 V Continuous Drain Current ID -30 A Pulsed Drain Current(2) IDM -120 A Total Power Dissipation(3) PD 72 W Single Pulsed Avalanche Energy(4) EAS 81 mJ Note: 1. Halogen free "Green” products are defined as those which contain

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MCU30P06Y-TP

### 物料型号 - 型号：MCU30P06Y

### 器件简介 - MCU30P06Y是一款采用Split Gate Trench MOSFET技术的P沟道MOSFET。 - 特点包括优秀的稳定性和均匀性，无卤素，符合“绿色”设备标准（注1）。 - 环氧树脂符合UL 94 V-0可燃性等级，无铅表面处理/符合RoHS标准（"P"后缀表示RoHS合规，详见订购信息）。

### 引脚分配 - Gate（门极）：2 - Drain（漏极）：3 - Source（源极）：1

### 参数特性 - 最大额定值： - 工作结温范围：-55°C至+150°C - 存储温度范围：-55°C至+150°C - 热阻：50°C/W（结到环境） - 热阻：1.7°C/W（结到外壳）

### 功能详解 - 电气特性（25°C，除非另有说明）： - 漏源击穿电压（V(BR)DSS）：-60V - 栅源漏电流（IGss）：±100nA - 零栅压漏电流（Ipss）：-1A - 栅阈值电压（VGs(th)）：-1.5V至-2.7V - 漏源导通电阻（Rds(on)）：39mΩ至55mΩ - 栅电阻（RG）：12pΩ - 连续体二极管电流（Is）：-30A - 二极管正向电压（VSD）：-1.3V - 反向恢复时间（trr）：24ns - 反向恢复电荷（Qr）：15.4nC - 输入电容（Ciss）：1057pF - 输出电容（Coss）：402pF - 反向传输电容（Crss）：23pF - 总栅电荷（Qg）：19nC - 栅源电荷（Qgs）：4.3nC - 栅漏电荷（Qgd）：2.7nC - 导通延迟时间（td(on)）：8ns - 导通上升时间（t）：4.6ns - 关闭延迟时间（td(off)）：51ns - 关闭下降时间（t）：18ns

### 应用信息 - 该型号适用于需要高稳定性和均匀性的P沟道MOSFET的应用场合。

### 封装信息 - 封装类型：DPAK(TO-252) - 尺寸：详细的尺寸信息请参考PDF文档中的标记代码部分。

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