物料型号:MCU95N06KY
器件简介:
- 采用分立栅沟槽MOSFET技术
- 静电放电(ESD)保护高达2KV(HBM)
- 湿度敏感等级3
- 无卤素“绿色”器件,符合RoHS标准
引脚分配:
- 1. Gate(栅极)
- 2. Drain(漏极)
- 3. Source(源极)
参数特性:
- 工作结温范围:-55°C至+150°C
- 存储温度范围:-55°C至+150°C
- 热阻:50°C/W(结到环境)
- 热阻:0.8°C/W(结到外壳)
功能详解:
- 漏源电压(Vps):60V
- 栅源电压(VGs):±20V
- 连续漏电流(Id):25°C时95A,100°C时60A
- 脉冲漏电流(Idm):380A
- 总功率耗散(Pd):156W
- 单脉冲雪崩能量(EAS):256mJ
应用信息:
- 该器件适用于需要高功率和高效率的应用场合。
封装信息:
- 封装类型:DPAK(TO-252)
- 尺寸数据详细列出了封装的各个部分的最小和最大尺寸。
注意事项:
- 文档中提到了一些重要的使用和购买注意事项,包括产品可能的更改、公司不承担由于应用或使用产品引起的任何责任、产品未经授权不得用于生命支持设备或系统,以及对抗半导体零件假冒的措施。
订购信息:
- 提供了部件编号和包装信息,例如Part Number-TP,包装为2.5Kpcs/Reel。