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MCU95N06KY-TP

MCU95N06KY-TP

  • 厂商:

    MCC(美微科)

  • 封装:

    TO-252-2(DPAK)

  • 描述:

    表面贴装型 N 通道 60 V 95A 160W DPAK(TO-252)

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
MCU95N06KY-TP 数据手册
MCU95N06KY Features • Split Gate Trench MOSFET Technology • Excellent Package for Heat Dissipation • High Density Cell Design for Low RDS(ON) • Halogen Free. “Green” Device (Note 1) • Moisture Sensitivity Level 3 • Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating • Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) N-CHANNEL MOSFET Maximum Ratings • Operating Junction Temperature Range : -55°C to +150°C • Storage Temperature Range: -55°C to +150°C • Thermal Resistance: 71°C/W Junction to Ambient(Steady-State)(Note2) • Thermal Resistance: 0.78°C/W Junction to Case(Steady-State) Parameter Symbol Rating J H Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Volltage VGS ±20 V ID 95 A IDM 340 A Total Power Dissipation PD 160 W Single Pulsed Avalanche Energy(Note4) EAS 256 mJ Continuous Drain Current Pulsed Drain Current (Note3) DPAK(TO-252) 1 C O 4 2 I F E 3 V K M Q A G L 2. The value of RθJA is measured with the device mounted on 1in2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with TA =25°C. The Power dissipation PDSM is based on RθJA t≤ 10s and the maximum allowed junction temperature of 150°C. The value in any given application depends on the user's specific board design. 3. Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. 4. TJ=25℃, VDD=50V, L=0.5mH, IAS=32A Internal Structure and Marking Code D MCC MCU95N06KY G D 1. Gate 2,4. Drain 3. Source Note: 1. Halogen free "Green” products are defined as those which contain
MCU95N06KY-TP
物料型号:MCU95N06KY

器件简介: - 采用分立栅沟槽MOSFET技术 - 静电放电(ESD)保护高达2KV(HBM) - 湿度敏感等级3 - 无卤素“绿色”器件,符合RoHS标准

引脚分配: - 1. Gate(栅极) - 2. Drain(漏极) - 3. Source(源极)

参数特性: - 工作结温范围:-55°C至+150°C - 存储温度范围:-55°C至+150°C - 热阻:50°C/W(结到环境) - 热阻:0.8°C/W(结到外壳)

功能详解: - 漏源电压(Vps):60V - 栅源电压(VGs):±20V - 连续漏电流(Id):25°C时95A,100°C时60A - 脉冲漏电流(Idm):380A - 总功率耗散(Pd):156W - 单脉冲雪崩能量(EAS):256mJ

应用信息: - 该器件适用于需要高功率和高效率的应用场合。

封装信息: - 封装类型:DPAK(TO-252) - 尺寸数据详细列出了封装的各个部分的最小和最大尺寸。

注意事项: - 文档中提到了一些重要的使用和购买注意事项,包括产品可能的更改、公司不承担由于应用或使用产品引起的任何责任、产品未经授权不得用于生命支持设备或系统,以及对抗半导体零件假冒的措施。

订购信息: - 提供了部件编号和包装信息,例如Part Number-TP,包装为2.5Kpcs/Reel。
MCU95N06KY-TP 价格&库存

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MCU95N06KY-TP
  •  国内价格 香港价格
  • 2500+5.641032500+0.67407
  • 5000+5.374575000+0.64223

库存:4703

MCU95N06KY-TP
  •  国内价格 香港价格
  • 1+19.427641+2.32148
  • 10+12.4716310+1.49028
  • 100+8.48813100+1.01428
  • 500+6.78273500+0.81050
  • 1000+6.234341000+0.74497

库存:4703