物料型号：MIW15N120FA
器件简介：
- 采用低VCE(sat) Trench-FS IGBT技术
- 正温度系数
- 包括快速和软恢复的反并联FWD
- 高短路承受能力(10us)
- 无卤素“绿色”器件，符合RoHS标准
引脚分配：文档中提供了详细的引脚分配图，但未列出具体的引脚功能。
参数特性：
- 集电极-发射极电压(VCE)：1200V
- 直流集电极电流(Ic)：在25°C时为30A，100°C时为15A
- 脉冲集电极电流(ICM)：60A
- 门极-发射极电压(VGE)：±20V
- 短路承受时间(tsc)：10us
- 功率耗散(PD)：200W
功能详解：
- 适用于电机驱动逆变器、交流和直流伺服驱动放大器、不间断电源等应用
- 工作结温范围：-40°C至+175°C
- 存储温度范围：-55°C至+150°C
- IGBT热阻：0.75°C/W（结到外壳）
- 二极管热阻：1.35°C/W（结到外壳）
- 热阻：40°C/W（结到环境）
应用信息：
- 用于电机驱动逆变器和伺服驱动放大器的1200V 15A IGBT模块
封装信息：
- 封装类型：TO-247AB
