物料型号:MIW15N120FA
器件简介:
- 采用低VCE(sat) Trench-FS IGBT技术
- 正温度系数
- 包括快速和软恢复的反并联FWD
- 高短路承受能力(10us)
- 无卤素“绿色”器件,符合RoHS标准
引脚分配:文档中提供了详细的引脚分配图,但未列出具体的引脚功能。
参数特性:
- 集电极-发射极电压(VCE):1200V
- 直流集电极电流(Ic):在25°C时为30A,100°C时为15A
- 脉冲集电极电流(ICM):60A
- 门极-发射极电压(VGE):±20V
- 短路承受时间(tsc):10us
- 功率耗散(PD):200W
功能详解:
- 适用于电机驱动逆变器、交流和直流伺服驱动放大器、不间断电源等应用
- 工作结温范围:-40°C至+175°C
- 存储温度范围:-55°C至+150°C
- IGBT热阻:0.75°C/W(结到外壳)
- 二极管热阻:1.35°C/W(结到外壳)
- 热阻:40°C/W(结到环境)
应用信息:
- 用于电机驱动逆变器和伺服驱动放大器的1200V 15A IGBT模块
封装信息:
- 封装类型:TO-247AB