物料型号：MSJU04N80A
器件简介：
- 该MOSFET具有高达2KV的ESD保护（人体模型）。
- 具有非常低的FOM（RDS(on) x Qg）。
- 为无卤“绿色”器件，符合RoHS标准，并且具有无铅表面处理。
引脚分配：
- 1. Gate（栅极）
- 2. Drain（漏极）
- 3. Source（源极）
参数特性：
- 工作结温范围：-55°C 至 +150°C
- 热阻：50°C/W（结到环境），1.41°C/W（结到外壳）
- 漏源电压（Vps）最大800V
- 栅源电压（VGS）最大±20V
- 连续漏电流（I）在25°C时为4.5A，在100°C时为2.8A
- 脉冲漏电流（lOM）最大18A
- 总功率耗散（PD）最大88W
功能详解：
- 包括静态特性、二极管特性和动态特性，如漏源击穿电压、栅源漏电流、栅阈值电压、漏源导通电阻、栅电阻、体二极管电流、二极管正向电压、反向恢复时间和电荷等。
应用信息：
- 该器件适用于需要高效率和高功率密度的应用场景。
封装信息：
- 封装类型：DPAK(TO-252)
- 尺寸数据详细列出了包括A到Q的各个尺寸参数。
订购信息：
- 提供了部件编号和包装信息，如Part Number-TP，Tape&Reel: 2.5Kpcs/Reel。
重要通知：
- 强调了产品可能的更改和更新，以及在生命支持设备中使用产品前需要Micro Commercial Components Corp.的书面批准。
客户须知：
- 提醒客户注意半导体零件的假冒问题，并建议从MCC或其授权经销商处购买产品。
