SI3099-TP

物料型号：SI3099

器件简介： - 采用沟槽低压MOSFET技术 - 可承受高达2.5kV的ESD（人体模型）保护 - 1级湿度敏感度 - 无卤素“绿色”设备，符合RoHS标准（带有“P”后缀的为RoHS合规产品）

引脚分配： 1. GATE（栅极） 2. SOURCE（源极） 3. DRAIN（漏极）

参数特性： - 工作结温范围：-55°C 至 +150°C - 存储温度：-55°C 至 +150°C - 热阻：110°C/W（结到环境） - 漏源电压：30V - 栅源电压：±12V - 连续漏电流：1.1A（25°C），0.88A（70°C） - 脉冲漏电流：4.4A - 总功率耗散：1.1W

功能详解： - 该N沟道MOSFET具备内部结构和标记代码，以及建议的焊盘布局。

应用信息： - 该器件具有多种电气特性，包括静态特性、动态特性和曲线特性，适用于多种电子应用。

封装信息： - SOT-23封装，热阻为110°C/W，从结到环境。

订购信息： - 部件编号后缀-TP表示3Kpcs/Reel的带式卷装包装。

注意： - Micro Commercial Components Corp.（MCC）保留在不另行通知的情况下对任何产品进行更改的权利。 - 未经Micro Commercial Components Corporation明确书面批准，MCC的产品不得作为生命支持设备或系统中的关键组件使用。 - 假冒半导体零件是行业日益严重的问题，MCC正在采取措施保护自己和客户免受假冒零件的侵害。