物料型号：SI3099
器件简介：
- 采用沟槽低压MOSFET技术
- 可承受高达2.5kV的ESD（人体模型）保护
- 1级湿度敏感度
- 无卤素“绿色”设备，符合RoHS标准（带有“P”后缀的为RoHS合规产品）
引脚分配：
1. GATE（栅极）
2. SOURCE（源极）
3. DRAIN（漏极）
参数特性：
- 工作结温范围：-55°C 至 +150°C
- 存储温度：-55°C 至 +150°C
- 热阻：110°C/W（结到环境）
- 漏源电压：30V
- 栅源电压：±12V
- 连续漏电流：1.1A（25°C），0.88A（70°C）
- 脉冲漏电流：4.4A
- 总功率耗散：1.1W
功能详解：
- 该N沟道MOSFET具备内部结构和标记代码，以及建议的焊盘布局。
应用信息：
- 该器件具有多种电气特性，包括静态特性、动态特性和曲线特性，适用于多种电子应用。
封装信息：
- SOT-23封装，热阻为110°C/W，从结到环境。
订购信息：
- 部件编号后缀-TP表示3Kpcs/Reel的带式卷装包装。
注意：
- Micro Commercial Components Corp.（MCC）保留在不另行通知的情况下对任何产品进行更改的权利。
- 未经Micro Commercial Components Corporation明确书面批准，MCC的产品不得作为生命支持设备或系统中的关键组件使用。
- 假冒半导体零件是行业日益严重的问题，MCC正在采取措施保护自己和客户免受假冒零件的侵害。
