物料型号:SI3420
器件简介:
- 该器件是一款高密度单元设计的N沟道增强型场效应晶体管,具有极低的导通电阻(RDS(ON))。
- 产品为无铅产品,符合UL94 V-0可燃性等级,可提供无卤素版本。
引脚分配:
- SOT-23封装,1号引脚为栅极(GATE),2号引脚为源极(SOURCE),3号引脚为漏极(DRAIN)。
参数特性:
- 漏源电压(Vos)最大20V。
- 连续漏电流(lo)最大6A,脉冲漏电流(loM)最大25A。
- 栅源电压(VGs)最大±12V。
- 总功率耗散(Pp)最大0.35W。
- 结到环境的热阻(RJA)为357°C/W。
- 工作结温(TJ)范围-55至+150°C。
- 存储温度(TSTG)范围-55至+150°C。
功能详解:
- 静态参数包括漏源击穿电压、零栅极电压漏电流、栅体漏电流、栅极阈值电压、导通电阻、正向跨导、二极管正向电压等。
- 动态参数包括输入电容、输出电容、反向传输电容和栅极电阻。
- 开关参数包括开通延迟时间、开通上升时间、关断延迟时间和关断下降时间。
应用信息:
- 该器件适用于需要低导通电阻和高可靠性的应用场合。
封装信息:
- 提供SOT-23封装,可提供无卤素版本,可通过在型号后添加"-HF"后缀订购。
订购信息:
- 部件编号后跟"-TP"表示3000件/卷的胶带和卷轴包装。
- 注意:在型号后添加"-HF"后缀以订购无卤素产品。
重要通知:
- Micro Commercial Components Corp.保留在不另行通知的情况下对其任何产品进行更正、修改、增强、改进或其他更改的权利。
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