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创作活动
SI3439KDW-TP

SI3439KDW-TP

  • 厂商:

    MCC(美微科)

  • 封装:

    TSSOP6

  • 描述:

    N AND P-CHANNEL MOSFETSOT-363

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
SI3439KDW-TP 数据手册
SI3439KDW Features • • • Low RDS(on) Operated at Low Logic Level Gate Drive Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating • Moisture Sensitivity Level 1 • • Halogen Free. “Green” Device (Note 1) Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) Dual N&P-Channel MOSFET Maximum Ratings • Operating Junction Temperature Range : -55°C to +150°C • Storage Temperature Range: -55°C to +150°C • Thermal Resistance: 833°C/W Junction to Ambient(Note 2) • Thermal Resistance: 260°C/W Junction to Lead(Note 2) Parameter Symbol PD Total Power Dissipation Rating 150 SOT-363 G Unit 6 mW 1 Drain-Source Voltage 20 V Gate-Source Volltage VGS ±12 V ID 0.75 A IDM 1.8 A Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Volltage VGS ±12 V Continuous Drain Current ID -0.66 A Pulsed Drain Current(Note 3) IDM -1.2 A Continuous Drain Current Pulsed Drain Current (Note 3) 3. Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature. Internal Structure D1 6 1 G2 5 S1 Rev.3-3-12012020 2 2 3 A M H K J L D P-Channel MOSFET Note: 1. Halogen free "Green” products are defined as those which contain
SI3439KDW-TP
- 物料型号:SI3439KDW - 器件简介:文档列出了器件的特点,例如低RDS(on)、低逻辑电平门驱动、UL 94 V-0阻燃等级的环氧树脂、湿润敏感性等级1、无卤素“绿色”器件、无铅镀层/符合RoHS标准。 - 引脚分配:文档提供了引脚分配图,包含D1、G2、S2、S1、D2等。 - 参数特性:包括最大额定值(如工作结温范围、存储温度范围、热阻等)和N-Channel MOSFET与P-Channel MOSFET的电气特性(如漏源电压、栅源电压、连续漏电流等)。 - 功能详解:文档提供了N-Channel MOSFET和P-Channel MOSFET的静态特性、动态特性和开关特性的详细描述和图表。 - 应用信息:文档中没有直接提及应用信息,但根据器件特性,可以推断其适用于需要低功耗和高效率的场合。 - 封装信息:提供了SOT-363封装的尺寸信息和建议的焊盘布局。
SI3439KDW-TP 价格&库存

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