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MX29LV128DTT2I-90Q

MX29LV128DTT2I-90Q

  • 厂商:

    MCNIX(旺宏电子)

  • 封装:

  • 描述:

    MX29LV128DTT2I-90Q - 128M-BIT [16M x 8/8M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY - Macronix Inter...

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MX29LV128DTT2I-90Q 数据手册
MX29LV128D T/B 128M-BIT [16M x 8/8M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY FEATURES GENERAL FEATURES • 16,777,216 x 8 / 8,388,608 x 16 switchable • Sector Structure - 8KB(4KW) x 8 and 64KB(32KW) x 255 • Extra 128-word sector for security - Features factory locked and identifiable, and customer lockable • Sector Groups Protection / Chip Unprotect - Provides sector group protect function to prevent program or erase operation in the protected sector group - Provides chip unprotect function to allow code changing - Provides temporary sector group unprotect function for code changing in previously protected sector groups • Single Power Supply Operation - 3.0 to 3.6 volt for read, erase, and program operations • Latch-up protected to 100mA from -1V to 1.5xVcc • Low Vcc write inhibit : Vcc
MX29LV128DTT2I-90Q
物料型号: - 型号为MX29LV128D T/B,由MACRONIX INTERNATIONAL Co., LTD.生产。

器件简介: - MX29LV128D T/B是一款128M-BIT的单电压3V闪存,具有16M x 8或8M x 16的配置。

引脚分配: - 提供了48-Pin TSOP、56-Pin TSOP和70-Pin SSOP三种封装的引脚配置。

参数特性: - 支持16,777,216 x 8或8,388,608 x 16的数据存储。 - 具备扇区结构,包括8KB x 8和64KB x 255的配置,以及额外的128-word扇区用于安全。 - 支持工厂锁定和客户可锁定的扇区组保护/芯片解锁功能。 - 单电源供电操作,电压范围3.0V至3.6V。 - 低功耗写入抑制:Vcc <= VLKO。

功能详解: - 性能方面,具有快速访问时间90ns、快速编程时间11us/字(典型值)和快速擦除时间1s/扇区(典型值)。 - 低功耗,包括低活跃读取电流20mA(典型值)@ 5MHz和低待机电流8uA(典型值)。 - 典型擦除/编程周期为100,000次,数据保持时间为10年。

应用信息: - 适用于需要非易失性存储的嵌入式系统。

封装信息: - 封装类型包括48-Pin TSOP、56-Pin TSOP和70-Pin SSOP,所有无铅设备均符合RoHS标准。
MX29LV128DTT2I-90Q 价格&库存

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