1. 物料型号:
- 型号系列:SRB1020至SRB10100。
2. 器件简介:
- 该器件为金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具有低功耗、高效率、低正向电压、高电流能力、高浪涌容量等特点,适用于低电压、高频逆变器、自由轮和极性保护应用。
3. 引脚分配:
- 封装形式为TO-263(D²-PAK)塑料,引脚可焊性符合MIL-STD-202方法208,极性按标记,可任意位置安装。
4. 参数特性:
- 电压范围:20至100伏特。
- 电流:10.0安培。
- 最大重复峰值反向电压(VRRM):20至100伏特。
- 最大RMS电压(VRMS):14至70伏特。
- 最大直流阻断电压(VDC):20至100伏特。
- 最大平均正向整流电流(I(AV)):10.0安培。
- 峰值正向浪涌电流:150安培(8.3ms单半正弦波叠加在IFSM上)。
- 最大正向电压(VF):0.65至0.85伏特(在10.0A每个元件下)。
- 最大直流反向电流(IR):0.5微安(在25℃和100℃下)。
- 典型结电容(CJ):500皮法。
- 典型热阻(RθJC):3.0℃/W。
5. 功能详解和应用信息:
- 器件用于低电压、高频逆变器、自由轮和极性保护应用,具有低功耗、高效率、低正向电压、高电流能力、高浪涌容量等特点。
6. 封装信息:
- 封装类型:TO-263(D²-PAK)塑料。
- 重量:0.06盎司,1.7克。