1. 物料型号:
- 型号范围:SRB3020C至SRB30100C。
2. 器件简介:
- 该器件为金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具有塑料封装,UL94V-0阻燃等级,低功耗、高效率、低正向电压、高电流能力、高浪涌能力,适用于低电压、高频逆变器、自由轮和极性保护应用。
3. 引脚分配:
- 封装为D²PAK/TO-263AB,塑料模塑终端,铅焊性符合MIL-STD-202方法208,极性按标记,任意位置安装。
4. 参数特性:
- 工作温度:25℃环境温度下,单相半波60Hz,电阻性或感性负载。
- 电容性负载时电流降额20%。
- 最大重复峰值反向电压(VRRM):20至100伏特。
- 最大RMS电压(VRMS):14至70伏特。
- 最大直流阻断电压(VDc):20至100伏特。
- 最大平均正向整流电流(L(AV)):30.0安培。
- 最大正向电压(VF):0.65至0.85伏特。
- 最大直流反向电流(IR):1.0毫安。
- 典型结电容:500皮法。
- 典型热阻(RaJc):2.0℃/W。
- 工作和存储温度范围:-55至+150℃。
5. 功能详解:
- 器件具有低功耗、高效率、低正向电压、高电流能力、高浪涌能力等特点,适用于低电压、高频逆变器、自由轮和极性保护应用。
6. 应用信息:
- 适用于低电压、高频逆变器、自由轮和极性保护应用。
7. 封装信息:
- 封装类型:D²PAK/TO-263AB。
- 重量:0.06盎司,1.7克。