1. 物料型号:
- TC4626COE:16-Pin SOIC (Wide) 封装,工作温度范围 -55°C 至 +125°C。
- TC4626CPA:8-Pin PDIP 封装,工作温度范围 -40°C 至 +85°C。
- TC4626EOE:16-Pin SOIC (Wide) 封装,工作温度范围 -40°C 至 +85°C。
- TC4626EPA:8-Pin PDIP 封装,工作温度范围 0°C 至 +70°C。
- TC4626MJA:8-Pin CERDIP 封装,工作温度范围 0°C 至 +70°C。
- TC4627COE:16-Pin SOIC (Wide) 封装,工作温度范围 -55°C 至 +125°C。
- TC4627CPA:8-Pin PDIP 封装,工作温度范围 -40°C 至 +85°C。
- TC4627EOE:16-Pin SOIC (Wide) 封装,工作温度范围 -40°C 至 +85°C。
- TC4627EPA:8-Pin PDIP 封装,工作温度范围 0°C 至 +70°C。
- TC4627MJA:8-Pin CERDIP 封装,工作温度范围 0°C 至 +70°C。
2. 器件简介:
- TC4626/TC4627是带有电压倍增器的单通道CMOS高速驱动器。这些器件工作在4至6伏的输入供电电压下,内部电压倍增器可以产生比输入电压高12伏的$V_{BOOST}$。这个$V_{BOOST}$没有调节,因此其电压取决于输入$V_{DD}$电压和输出驱动负载要求。内部欠压锁定电路在$V_{BOOST}$低于7.8伏时保持输出低电平。当$V_{BOOST}$高于11.3伏时,输出被启用。
3. 引脚分配:
- 8-Pin PDIP/CERDIP2封装:
- 1: C1-
- 2: C1+
- 3: C2
- 4: GND(地)
- 5: OUT(输出)
- 6: VBOOST
- 7: IN(输入)
- 8: VDD(供电)
- 16-Pin SOIC (Wide)封装:
- 1: C1-
- 2: NC(无连接)
- 3: C1+
- 4: NC(无连接)
- 5: C2
- 6: NC(无连接)
- 7: NC(无连接)
- 8: GND(地)
- 9: OUT(输出)
- 10: NC(无连接)
- 11: VBOOST
- 12: NC(无连接)
- 13: IN(输入)
- 14: NC(无连接)
- 15: NC(无连接)
- 16: VDD(供电)
4. 参数特性:
- 低功耗:小于4mA
- 小型封装:8-Pin PDIP
- 欠压电路
- 快速上升/下降时间:小于40纳秒@1000pF
- 下限轨输入保护
5. 功能详解:
- TC4626/TC4627内部包含一个非调节的电压三倍电路,由三组内部开关和三个外部电容器组成。S1a和S1b充电电容器C1到VDD电位,S2a和S2b将C1电位加到VDD输入充电C2到2×VDD,S3a和S3b将C1电位加到C2充电C3到3×VDD。开关的位置由内部4相时钟控制。
6. 应用信息:
- 将5V升至驱动更高Vgs(ON)的MOSFET
- 消除一个系统电源供应
7. 封装信息:
- 提供了8-Pin Plastic DIP、8-Pin CDIP (Narrow)和16-Pin SOIC (Wide)封装的尺寸信息。