1. 物料型号:
- TC4626COE:16-Pin SOIC (Wide)封装,工作温度范围-55°C至+125°C。
- TC4626CPA:8-Pin PDIP封装,工作温度范围-40°C至+85°C。
- TC4626EOE:16-Pin SOIC (Wide)封装,工作温度范围-40°C至+85°C。
- TC4626EPA:8-Pin PDIP封装,工作温度范围0°C至+70°C。
- TC4626MJA:8-Pin CERDIP封装,工作温度范围0°C至+70°C。
- TC4627COE:16-Pin SOIC (Wide)封装,工作温度范围-55°C至+125°C。
- TC4627CPA:8-Pin PDIP封装,工作温度范围-40°C至+85°C。
- TC4627EOE:16-Pin SOIC (Wide)封装,工作温度范围-40°C至+85°C。
- TC4627EPA:8-Pin PDIP封装,工作温度范围0°C至+70°C。
- TC4627MJA:8-Pin CERDIP封装,工作温度范围0°C至+70°C。
2. 器件简介:
TC4626/TC4627是带有电压倍增器的单通道CMOS高速驱动器。这些器件可以在4至6伏的输入供电电压下工作,内部电压倍增器能够产生比输入电压高12伏的$V_{BOOST}$。这个$V_{BOOST}$没有调节,因此其电压依赖于输入$V_{DD}$电压和输出驱动负载要求。内部欠压锁定电路在$V_{BOOST}$低于7.8伏时保持输出低电平。当$V_{BOOST}$高于11.3伏时,输出被启用。
3. 引脚分配:
- 8-Pin PDIP/CERDIP2封装:1脚C1-,2脚C1+,3脚C2,4脚GND,5脚OUT,6脚VBOOST,7脚IN,8脚VDD。
- 16-Pin SOIC (Wide)封装:1脚C1-,2脚NC,3脚C1+,4脚NC,5脚C2,6脚NC,7脚NC,8脚GND,9脚OUT,10脚NC,11脚VBOOST,12脚NC,13脚IN,14脚NC,15脚NC,16脚VDD。
4. 参数特性:
- 低功耗:小于4mA。
- 小型封装:8-Pin PDIP。
- 欠压电路。
- 快速上升/下降时间:小于40纳秒@1000pF。
5. 功能详解:
TC4626/TC4627内部包含一个非调节的电压三倍电路,由三组内部开关和三个外部电容器组成。S1a和S1b充电电容器C1至VDD电位,S2a和S2b将C1电位加至VDD输入以充电C2至2×VDD,S3a和S3b将C1电位加至C2以充电C3至3×VDD。开关的位置由内部4相时钟控制。
6. 应用信息:
- 将5V升至驱动更高Vgs(ON)的MOSFET。
- 消除一个系统电源供应。
7. 封装信息:
- 8-Pin Plastic DIP、8-Pin CDIP (Narrow)、16-Pin SOIC (Wide)的具体尺寸信息在PDF文档中有详细描述。