JS28F256P33BFA

### 物料型号 - Numonyx™ StrataFlash® Embedded Memory (P33-65nm) - 256-Mbit, 512-Mbit (256M/256M)

### 器件简介 - 高性能：包括快速的初始访问时间和多种读取模式。 - 架构：采用多级单元技术（MLC）和不对称块架构。 - 电压和功耗：核心电压（VCC）和I/O电压（VCCQ）范围为2.3V至3.6V，待机电流典型值为65uA。 - 安全性：包括一次性可编程寄存器（OTP）和多种保护机制。

### 引脚分配 - 56-Lead TSOP：包括地址输入（A[MAX:1]）、数据输入/输出（DQ[15:0]）、控制信号（如CE#、CLK、OE#等）。 - 64-Ball Easy BGA：包括地址输入、数据输入/输出和控制信号，以及电源和地引脚。

### 参数特性 - 初始访问时间：Easy BGA为95ns，TSOP为105ns。 - 读取模式：包括异步页面读取模式和同步突发读取模式。 - 编程速度：包括缓冲增强工厂编程和3.0V缓冲编程。 - 电压范围：VCC和VCCQ为2.3V至3.6V。

### 功能详解 - 读取操作：支持异步页面模式读取和同步突发模式读取。 - 编程操作：支持字编程、缓冲编程和缓冲增强工厂编程。 - 擦除操作：支持块擦除，以及擦除暂停和恢复功能。 - 安全特性：包括块锁定、密码访问和OTP寄存器。

### 应用信息 - 设备适用于需要高性能和低功耗的应用，如代码和数据存储。 - 适用于工业和汽车电子等领域。

### 封装信息 - 56-Lead TSOP：适用于256-Mbit产品。 - 64-Ball Easy BGA：适用于256-Mbit和512-Mbit产品。