物料型号:
- 物料型号为MT45W4MW16B,这是一款64Mb的4 Meg x 16 Async/Page/Burst CellularRAM 1.0 Memory。
器件简介:
- 该器件是Micron公司的CellularRAM产品,专为低功耗、便携式应用开发的高速CMOS PSRAM存储器。它支持异步、页面和突发操作模式,并且具有行业标准的突发模式Flash接口,显著提高了与其他低功耗SRAM或伪SRAM产品的读写带宽。
引脚分配:
- 54球VFBGA封装的引脚分配在图1中有详细描述,包括地址输入A[21:0]、控制信号如OE#、CE#、WE#等,以及数据输入输出DQ[15:0]。
参数特性:
- 随机访问时间为70ns,工作电压VCC为1.70V至3.30V,VCCQ为1.70V至1.95V。页面模式读取访问时,页面大小为16个字,页面间读取访问时间为70ns,页面内读取访问时间为20ns。突发模式写入访问为连续突发,突发模式读取访问可以是4、8或16个字,或连续突发。
功能详解:
- 该器件支持异步、页面和突发操作模式,具有温度补偿刷新(TCR)、部分阵列刷新(PAR)和深功耗降低(DPD)模式等低功耗特性。
应用信息:
- 适用于低功耗、便携式应用,如无线通信设备等。
封装信息:
- 标准封装为54球VFBGA,也提供无铅版本。