MT47H128M4CB-3:B

1. 物料型号：文档中没有明确指出具体的物料型号，但从上下文推测，文档描述的是Micron Technology, Inc.生产的512Mb容量的DDR2 SDRAM内存芯片。

2. 器件简介：文档详细介绍了DDR2 SDRAM的输入斜率降额（Input Slew Rate Derating），这是关于内存芯片在不同输入信号斜率条件下的性能参数。

3. 引脚分配：文档中没有提供具体的引脚分配图，但提到了一些关键的信号，如CK（时钟信号）、CK#（时钟信号的反相）、RAS#、CAS#、WE#（这些是内存的控制信号）以及DQ、DQS等数据信号。

4. 参数特性：文档详细列出了DDR2 SDRAM在不同输入信号斜率下的参数特性，包括tDS和tDH的降额值，这些参数影响内存的读写操作。

5. 功能详解：文档解释了内存的输入信号斜率对内存性能的影响，包括上升信号和下降信号的斜率定义，以及如何根据实际信号的斜率来确定降额值。

6. 应用信息：文档提供了关于DDR2 SDRAM在不同操作模式下的时序要求，例如在主动模式、快速退出功耗降低模式和慢速退出功耗降低模式下的ODT（On-Die Termination）时序。

7. 封装信息：文档中没有提供封装的详细信息，但提到了x4、x8、x16等不同的数据宽度配置，这可能与封装类型有关。