### 物料型号
- 型号:MT4C4001J(S)
### 器件简介
- MT4C4001J(S)是一款随机存取的固态存储器,包含4,194,304位,以x4配置排列。在READ或WRITE周期中,通过20位地址位唯一地址每个位,分两次输入10位地址(A0-A9)。RAS用于锁存前10位,CAS锁存后10位。READ和WRITE周期通过WE输入选择。WE为高电平时选择READ模式,WE为低电平时选择WRITE模式。
### 引脚分配
- 提供了20/26-Pin SOJ和20/26-Pin TSOP两种封装的引脚图。
### 参数特性
- 工作电压:单+5V+10%电源
- 刷新模式:RAS ONLY, CAS-BEFORE-RAS (CBR), HIDDEN; 可选的扩展和SELF REFRESH模式(仅MT4C4001J S支持)
- 刷新周期:MT4C4001J为16ms,MT4C4001JS为128ms
- 功耗:待机0.8mW,激活时225mW(MT4C4001JS)
### 功能详解
- FAST PAGE MODE访问周期:允许在行地址定义的页面边界内进行更快的数据操作(READ, WRITE或READ-MODIFY-WRITE)。
- 刷新:提供了RAS ONLY刷新、CBR刷新和SELF REFRESH模式(仅MT4C4001J S支持)。
### 应用信息
- 该DRAM可用于需要1 MEG x 4位存储的电子设备中,具体应用需根据设计要求和系统兼容性考虑。
### 封装信息
- 提供Plastic SOJ (300 mil)和Plastic TSOP (300 mil)两种封装选项。