1. 物料型号：
- 64Kx16(+5V): MT5C64K16A1S13A
- 128Kx8(+5V): MT5C128K8A1S13A
- 128Kx8(+3.3V): MTSLC128K8D4S13A
- 64Kx16(+3.3V): MTSLC64K16D4S13A
2. 器件简介：
- S13A 1 MEG SRAM DIE，提供1Megabits的静态随机存取存储器，具有128Kx8和64Kx16的配置，支持单+3.3V或+5V电源供应，5V容忍，1/0个别字节控制读写周期，高性能、低功耗、CMOS双金属工艺，所有输入输出与TTL兼容。
3. 引脚分配：
- S13A SRAM die有52个邦定焊盘，具体分配可参考邦定焊盘位置和识别表。
4. 参数特性：
- 工作电压：单+5V或+3.3V电源供应。
- 访问时间：提供不同速度等级的访问时间，如12ns、15ns、20ns、25ns。
- 金属化厚度：顶层金属化10K埃，下层金属化5K埃。
- 金属化组成：99.5%铝和0.5%铜覆盖在钛上。
- 典型钝化：6K埃的磷掺杂氧化物，上面覆盖6K埃的氮化物。
5. 功能详解：
- 该SRAM支持标准探针测试(C1)、速度探针测试(C2)和已知良品(C3)测试等级，以确保产品性能和可靠性。
6. 应用信息：
- 适用于需要高速、低功耗SRAM的应用，如缓存、数据存储等。
7. 封装信息：
- Micron使用Gel-Pak封装，所有die的顶层金属化一致定向，外部封装适合静电放电保护。
