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创作活动
03512GF

03512GF

  • 厂商:

    MICROSEMI(美高森美)

  • 封装:

  • 描述:

    03512GF - Silicon Controlled Rectifier / Inverter - Microsemi Corporation

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
03512GF 数据手册
03512GF
物料型号: - Microsemi Cotalog Number:03508G(2)F、03510G(2)F、03512G(2)F

器件简介: - 该器件是一个重复大VDRM、VRRM的器件,具有800V、1000V和1200V的阻断电压,主要用于强制换向应用,具有200V/us的dv/dt(可定制)。

引脚分配: - 引脚标记为:ABCDEFGHJKNPRS

参数特性: - 最大RMS导通电流:IT(RMS) 63安培 - 最大平均导通电流:IT(AV) 40安培 - 最大峰值导通电压:VTM 2.8伏特 - 最大保持电流:IH 500毫安 - 最大峰值单周期浪涌电流:ITSM 800安培 - 最大I2t能力用于熔断:12t 2650A²S - 工作结温范围:TJ -65°C至125°C - 存储温度范围:TSTG -65°C至150°C - 最大热阻:0.35°C/W(结到外壳) - 典型热阻(涂油):eCS 0.20°C/W(外壳到散热器) - 安装扭矩:25-30英寸磅 - 重量:0.56盎司(16克)典型值

功能详解: - 关键速率上升导通电流:di/dt 2.0 us,200A/us,TJ = 125℃ - 最大电路换向关断时间:tq(W) 40 us,tq(X) 30 us,TJ = 125°C - 最大门极电压触发:VGT 2.0V,TJ=25℃ - 最大门极电流触发:150mA - 最大门极功率:10W - 最大门极电流(峰值):I GM 3.0A - 最大门极电压(正向):VSM 20V - 最大门极电压(反向):10V - 阻断最大漏电流:IRRM、DRM 20mA - 反压漏电流:IRRM、DRM 500uA - 关断状态下电压上升速率:dv/dt 200V/us,TJ=125°C

应用信息: - 主要用于强制换向应用,具有高dv/dt和高阻断电压能力。

封装信息: - TO208AC(TO-65)
03512GF 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“03512GF”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

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