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创作活动
1N6273A

1N6273A

  • 厂商:

    MICROSEMI(美高森美)

  • 封装:

  • 描述:

    1N6273A - TRANSIENT ABSORPTION ZENER UNIDIRECTLOANL AND BIDIRECTIONAL - Microsemi Corporation

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
1N6273A 数据手册
1N6273A
### 物料型号 - 1N6267至1N6303A - 1.5KE6.8至1.5KE400A

### 器件简介 这些瞬态电压抑制二极管(TAZ)用于保护电压敏感元件免受高能量电压瞬态的影响。它们因其高浪涌能力、极快的响应时间和低增量浪涌电阻(Rs)而变得非常重要。

### 引脚分配 - 封装类型:塑封,带有正极性带标记。

### 参数特性 - 峰值脉冲功率耗散:25°C时1500瓦特。 - 钳位电压(Vc):在最大峰值脉冲电流下的最大钳位电压。 - 额定隔离电压(V(BR)):5.5V至17V。 - 响应时间:单向<1x10^-1秒;双向<5x10^-9秒。 - 工作和存储温度:-65°C至+175°C。 - 正向浪涌额定值:25°C时200安培,1/20秒。 - 稳态功率耗散:T=75°C时5.0W(芯片形式不适用)。

### 功能详解 - 这些TAZ系列器件的峰值脉冲功率额定值为1500瓦特,持续时间为一毫秒。它们可以保护集成电路、混合电路、CMOS、MOS等电压敏感元件,并在广泛的应用中发挥作用,如电信、电源等。

### 应用信息 - 保护电压敏感元件免受电压瞬态的影响,适用于电信、电源等领域。

### 封装信息 - 封装类型:塑封。 - 重量:约1.5克。 - 极性:正极端子带标记。
1N6273A 价格&库存

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