APT11F80B

物料型号：APT11F80B 和 APT11F80S

器件简介：这是一种高速、高电压的N通道开关模式功率MOSFET，称为'FREDFET'版本。它具有针对零电压开关(ZVS)移相桥和其他电路优化的漏源（体）二极管，以提高可靠性，通过降低trr（存储时间）、软恢复和高恢复dv/dt能力。低门极电荷、高增益和大幅降低的Crss/Ciss比值导致出色的抗噪性和低开关损耗。多晶硅门结构的内在门电阻和电容有助于在开关期间控制di/dt，从而实现低电磁干扰(EMI)和可靠的并联，即使在非常高频率下切换。

引脚分配：文档中未明确列出引脚分配，但通常MOSFET有源器件会有源极（Source）、漏极（Drain）和门极（Gate）。

参数特性： - 漏源电压（VDS）最大800V - 连续漏电流（ID）最大12A - 门源电压（VGs）最大+30V - 单脉冲雪崩能量（EAS）524mJ - 重复或非重复雪崩电流（AR）6A

功能详解： - 快速开关且电磁干扰低 - 低trr，高可靠性 - 超低Crss，提高抗噪性 - 低门极电荷 - 雪崩能量等级 - 符合RoHS标准

应用信息： - ZVS移相和其它全桥应用 - 半桥 - PFC和其它升压转换器 - 降压转换器 - 单开关和双开关正向转换 - 反激式转换器

封装信息： - D3PAK封装 - 封装重量约为0.22盎司或6.2克 - 安装扭矩为10英寸磅或1.1牛顿米