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创作活动
APT12F60K

APT12F60K

  • 厂商:

    MICROSEMI(美高森美)

  • 封装:

    SOT78,TO220AB,SC46

  • 描述:

    MOSFET N-CH 600V 12A TO-220

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
APT12F60K 数据手册
APT12F60K
物料型号:APT12F60K

器件简介: - 600V,12A,最大导通电阻 0.62Ω,响应时间小于 180nS - 具有优化的漏极-源极(体)二极管,适用于 ZVS 移相桥和其他电路 - 低栅极电荷、高增益、Crss/Ciss 比值大幅降低,提供出色的抗噪声能力和低开关损耗 - 多晶硅栅极结构的内在栅极电阻和电容有助于控制开关时的 di/dt,实现低 EMI 和可靠的并联

引脚分配: - D(漏极) - S(源极) - G(栅极)

参数特性: - 绝对最大额定值:包括连续漏极电流、脉冲漏极电流、栅极-源极电压、单脉冲雪崩能量等 - 热和机械特性:包括总功耗、结到外壳的热阻、外壳到散热器的热阻等 - 静态特性:包括漏极-源极击穿电压、栅极-源极阈值电压、栅极-源极漏电流等 - 动态特性:包括正向跨导、输入电容、反向传输电容、输出电容等 - 源-漏二极管特性:包括二极管正向电压、反向恢复时间、反向恢复电荷等

功能详解: - 快速开关且 EMI 低 - 低 trr 值,高可靠性 - 超低 Crss 改善抗噪声能力 - 低栅极电荷 - 雪崩能量评级 - 符合 RoHS 标准

应用信息: - 适用于 ZVS 移相和全桥、半桥、PFC 和其他升压转换器、降压转换器、单开关和双开关正向、反激等应用

封装信息: - TO-220 封装,100% 锡镀层 - 封装尺寸图示和安装扭矩信息
APT12F60K 价格&库存

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