APTC80A15T1G

- 物料型号：APTC80A15T1G - 器件简介：这是Microsemi公司生产的超结MOSFET功率模块，属于COOLMOS系列，具有超低导通电阻（RDSon）、低米勒电容、低门极电荷等特性。 - 引脚分配：文档中提到引脚1/2和3/4/5/6需要短接在一起，但具体的引脚功能未在摘要中提及。 - 参数特性： - 漏极-源极击穿电压（VDSS）：800V - 连续漏极电流（ID）：在25°C时为28A，80°C时为21A - 脉冲漏极电流（IDM）：110A - 栅极-源极电压（VGs）：+30V - 导通电阻（RDSon）：最大150毫欧姆 - 最大功率耗散（PD）：在25°C时为277W - 雪崩电流（IAR）：17A - 雪崩能量（EAR/EAs）：0.5mJ和670mJ - 功能详解：该器件适用于高频操作，可直装到散热器上，具有低结到外壳的热阻，以及易于PCB安装的可焊端子。 - 应用信息：适用于焊接转换器、开关模式电源、不间断电源、电机控制等领域。 - 封装信息：封装类型为SP1，文档提供了NTC温度传感器信息和安装说明的链接。