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APTGT50DSK120T3G

APTGT50DSK120T3G

  • 厂商:

    MICROSEMI(美高森美)

  • 封装:

    SP3

  • 描述:

    IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
APTGT50DSK120T3G 数据手册
APTGT50DSK120T3G
物料型号:文档中列出了多种型号的功率MOSFETs、IGBTs、二极管等功率半导体器件,包括它们的电压等级、导通电阻、最大电流等参数。

器件简介:介绍了Microchip提供的功率半导体器件,如SiC MOSFETs,它们适用于高频率、高效率和高功率应用,并且比硅MOSFET和IGBT解决方案提高了系统效率,降低了拥有成本。

引脚分配:文档中提供了不同封装类型的功率模块的引脚分配图,例如TO-247、D3PAK、SOT-227等。

参数特性:列出了功率半导体器件的关键参数,如击穿电压(BVdss)、导通电阻(RDS(ON))、最大电流(ID)等。

功能详解:详细解释了各种功率半导体器件的功能和优势,例如SiC MOSFETs的低导通电阻、高电子饱和速度等。

应用信息:描述了功率半导体器件的目标市场和应用,包括交通/汽车、商业航空、工业、智能能源、医疗和国防等。

封装信息:提供了功率半导体器件的封装类型信息,如TO-247、D3PAK、SOT-227等,并解释了它们的电气配置和包络优势。
APTGT50DSK120T3G 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“APTGT50DSK120T3G”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

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