APTGT50H170TG

物料型号：APTGT50H170TG

器件简介： - 这是一个全桥沟槽+场截止IGBT3功率模块，具有低电压降、低尾电流、高达20 kHz的开关频率、软恢复并联二极管、低二极管正向电压、低漏电流等特点。

引脚分配： - VBUS：电源电压输入 - Q1, Q2, Q3, Q4：IGBT模块的集电极 - G1, G2, G3, G4：IGBT模块的栅极 - OUT1, OUT2：模块输出 - E1, E2：发射极 - NTC1, NTC2：内部热敏电阻，用于温度监测

参数特性： - 集电极-发射极击穿电压(VCES)：1700V - 集电极连续电流(Ic)：在25°C时为75A，在80°C时为50A - 脉冲集电极电流(LCM)：在25°C时为100A - 栅极-发射极电压(VGE)：最大+20V - 最大功率耗散(Pp)：在25°C时为312W - 反向偏置安全工作区(RBSOA)：在125°C时，100A@1600V

功能详解： - 该模块采用沟槽+场截止IGBT3技术，具有低电压降和低尾电流，易于驱动，具有非常低的杂散电感和对称设计。内部集成了用于温度监测的热敏电阻。

应用信息： - 适用于焊接转换器、开关模式电源、不间断电源和电机控制等应用。

封装信息： - 封装类型为SP4，具有详细的安装说明和热阻抗、隔离电压、工作结温范围等热特性和封装特性。

注意事项： - 该器件对静电放电敏感，应遵循适当的处理程序。有关更多信息，请参阅Microsemi网站上的应用说明APT0502。