1. 物料型号：APTM120DA68T1G
2. 器件简介：Boost chopper MOSFET Power Module，适用于AC和DC电机控制、开关电源、功率因数校正等。
3. 引脚分配：文档提到引脚1/2、3/4、5/6必须短接在一起。
4. 参数特性：
- 漏源击穿电压(VDSS)：1200V
- 连续漏极电流(Ip)：25°C时15A，80°C时11A
- 脉冲漏极电流(IDM)：90A
- 栅源电压(VGs)：+30V
- 漏源导通电阻(RDSon)：25°C时典型值为680mΩ
- 最大功率耗散(Pp)：25°C时357W
- 雪崩电流(IAR)：12A
5. 功能详解：包括详细的电气特性表、动态特性表、续流二极管的额定值和特性、热特性和封装特性。
6. 应用信息：适合高频操作，可直接安装到散热器上，具有低结到壳热阻，可焊接的电源和信号端子，便于PCB安装。
7. 封装信息：提供了SP1封装的轮廓图和尺寸，以及安装说明的参考。
