APTM20DUM05G

1. 物料型号：APTM20DUM05G 2. 器件简介：这是一个双共源MOSFET功率模块，适用于交流开关、开关模式电源、不间断电源等应用。 3. 引脚分配：文档中提供了详细的引脚图，包括D1, D2, Q1, Q2, G1, G2, S1, S2等。 4. 参数特性： - 漏源击穿电压(VDSS)：200V - 漏源导通电阻(RDSon)：典型值5mΩ，在25°C时 - 连续漏电流(ID)：在25°C时为317A - 脉冲漏电流(IDM)：1268A - 栅源电压(VGs)：±30V - 最大功率耗散(PD)：在25°C时为1136W - 雪崩电流(IAR)：89A 5. 功能详解：包括了MOSFETs的低RDSon、低输入和Miller电容、低栅极电荷、雪崩能量等级、Kelvin源易于驱动、非常低的杂散电感、对称设计和高集成度等特点。 6. 应用信息：适用于高频操作的出色性能，可直接安装到散热器上，具有低结到外壳的热阻和低外形。 7. 封装信息：提供了SP6封装的轮廓图和尺寸，以及安装到散热器的扭矩规格。