APTM50HM75FTG

物料型号：APTM50HM75FTG

器件简介： - 由Microsemi生产的全桥MOSFET功率模块 - 特点包括低RDSon、低输入和Miller电容、低栅极电荷、快速内在反向二极管、耐雪崩能力、坚固性 - 设计用于高频运行，具有出色的性能 - 符合RoHS标准

引脚分配： - VBUS：电源电压 - Q1, Q3, Q2, Q4：MOSFET器件 - G1, G2, G3, G4：栅极驱动 - S1, S2, S3, S4：源极 - OUT1, OUT2：输出 - NTC1, NTC2：热敏电阻，用于温度监测

参数特性： - VDSS：漏源击穿电压，最大500V - ID：连续漏电流，25°C时为46A，80°C时为34A - RDSon：漏源导通电阻，典型值为75mΩ - PD：最大功耗，25°C时为357W

功能详解： - 适用于焊接转换器、开关电源和不间断电源等应用 - 包含内部热敏电阻，用于温度监测

应用信息： - 主要应用于焊接转换器、开关模式电源和不间断电源等领域

封装信息： - 封装类型为SP4，提供了详细的封装尺寸和公差信息