APTM50UM13SAG

物料型号：APTM50UM13SAG

器件简介：APTM50UM13SAG 是一种单开关 MOSFET 功率模块，具有串联和并联二极管。

引脚分配：文档中未明确提供引脚分配的详细信息，但通常这类模块会有源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。

参数特性： - 漏源击穿电压 (Vpss)：500V - 连续漏电流 (ID)：在 25°C 下为 335A，80°C 下为 250A - 脉冲漏电流 (IDM)：1340A - 栅源电压 (Vas)：+30V - 漏源导通电阻 (RDSon)：最大 15mΩ - 最大功率耗散 (Pp)：3290W - 雪崩电流 (IAR)：71A - 重复雪崩能量 (EAR)：50mJ - 单脉冲雪崩能量 (EAS)：3000mJ

功能详解： - 该模块适用于焊接转换器、开关电源、不间断电源、电机控制等应用。 - 特点包括低 RDSon、低输入和米勒电容、低栅极电荷、耐雪崩能量额定、坚固、凯尔文源以方便驱动、非常低的寄生电感、对称设计、M5 功率连接器、高集成度、氮化铝基板以提高热性能。

应用信息： - 该模块在高频操作中表现出色，可直接安装在散热器上，具备低结到外壳的热阻、低外形。

封装信息： - 提供了 SP6 封装的轮廓图，尺寸以毫米为单位。