### 物料型号
- 型号：APTML1002U60R020T3AG
### 器件简介
- 这是一个Linear MOSFET Power Module，具有以下特性：
- 1000V的漏源击穿电压（$V_{DSS}$）
- 典型值为600 mΩ的漏源导通电阻（$R_{DSon}$）
- 在25°C时，连续漏电流（$I_{D}$）为20A
### 引脚分配
- 引脚13/14、29/30、31/32必须短接在一起。
### 参数特性
- 电气特性（每腿）：
- 零栅极电压漏极电流（$I_{pss}$）：25°C时为250μA，125°C时为1000μA
- 漏源导通电阻（$R_{DS(on)}$）：在10V门极电压、10A漏极电流下典型值为600 mΩ
- 栅极阈值电压（$V_{GS(th)}$）：2V至4V
- 栅源漏电流（$I_{GSS}$）：±100nA
- 动态特性（每腿）：
- 输入电容（$C_{iss}$）：6000pF
- 输出电容（$C_{oss}$）：775pF
- 反向传输电容（$C_{ss}$）：285pF
- 并联电气特性（每腿）：
- 电阻值（$R_{sh}$）：20mΩ
- 公差（$T_{sh}$）：2%
- 负载能力（$P_{sh}$）：25°C时为20W，80°C时为10W
- 电流能力（$I_{sh}$）：25°C时为31A，80°C时为22A
- 温度传感器PTC特性：
- 25°C电阻（$R_{25}$）：1980Ω至2020Ω
- 100°C与25°C电阻比（$R_{100}/R_{25}$）：1.676至1.716
- -55°C与25°C电阻比（$R_{-55}/R_{25}$）：0.48至0.50
- 温度系数（$B$）：7900ppm/K
- 热和封装特性：
- 结到外壳热阻（$R_{thJc}$）：0.24°C/W
- 工频隔离电压（$V_{ISOL}$）：4000V
- 工作结温范围（$T_J$）：-40至150°C
- 存储温度范围（$T_{STG}$）：-40至125°C
- 工作外壳温度（$T_c$）：-40至100°C
- 安装扭矩（$T_{orque}$）：2.5至4.7N·m
- 封装重量（$W_t$）：110g
### 功能详解
- 该器件适用于电源和电池放电测试的电子负载。
- 特点包括线性MOSFET、非常低的寄生电感、内部热敏电阻用于温度监测、高集成度、AlN基板以改善热性能。
### 应用信息
- 直接安装到散热器（隔离封装）、易于串联和并联组合以提高功率和电压、低结到外壳热阻、可焊接的电源和信号端子便于PCB安装、低轮廓、符合RoHS标准。
### 封装信息
- 提供了SP3封装的外形图，具体尺寸以毫米为单位标注。
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