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创作活动
JAN1N5615US

JAN1N5615US

  • 厂商:

    MICROSEMI(美高森美)

  • 封装:

    MELF

  • 描述:

    DIODEFASTREC200V1AD-5A

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
JAN1N5615US 数据手册
JAN1N5615US
物料型号:1N5615US至1N5623US

器件简介:这些二极管是军用级别的,符合MILPRF-19500/429标准,适用于高可靠性应用,工作峰值反向电压从200到1000伏。它们采用无空洞玻璃封装和内部“类别I”冶金键合。

引脚分配:文档中没有提供具体的引脚分配信息,但提到了表面安装封装与JEDEC注册的1N5615至1N5623系列等效。

参数特性: - 工作峰值反向电压:200至1000伏 - 平均整流电流:在55°C时为1.0安培,随温度变化有特定的降额曲线 - 最大正向电压:在3安培时的最大电压 - 最大反向电流:在工作峰值反向电压下的最大电流 - 电容:在1MHz频率和特定电压下的电容值 - 最大浪涌电流:在特定条件下的浪涌电流能力 - 反向恢复时间:从正向到反向电流通过零点的时间间隔

功能详解:文档提供了器件的电气特性和图形,包括典型反向电流与反向电压的关系,以及典型正向电压与正向电流的关系。

应用信息:适用于军事和其他高可靠性应用,包括整流桥、半桥、捕获二极管等一般整流应用。

封装信息:提供了封装尺寸和推荐的焊盘布局,注意此封装也曾被称为“D-5A”。
JAN1N5615US 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“JAN1N5615US”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

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