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MS2209_08

MS2209_08

  • 厂商:

    MICROSEMI(美高森美)

  • 封装:

  • 描述:

    MS2209_08 - RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS - Microsemi Corporation

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MS2209_08 数据手册
MS2209 RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS Features • • • • • 225 MHz BANDWIDTH COMMON BASE GOLD METALLIZATION CLASS C OPERATION POUT = 90 W MIN. WITH 8.4 dB GAIN DESCRIPTION: The MS2209 is a broadband, high peak pulse power silicon NPN bipolar device specifically designed for avionics applications requiring broad bandwidth with moderate duty cycles and pulse width constraints such as ground/ship based DME/TACAN. This device is also designed for specialized applications including JTIDS applications when duty cycle is moderately higher. Gold metallization and emitter ballasting assure high reliability under Class C amplifier operation. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C) Symbol VCC IC PDISS TJ TSTG Device Current Power Dissipation Junction Temperature (RF Pulsed Operation) Storage Temperature Parameter Collector Supply Voltage Value 50 7.0 220 +200 -65 to +200 Unit V A W °C °C Thermal Data RTH(J-C) Junction-case Thermal Resistance Rev B- September 2008 0.80 °C/W Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein. Visit our web site at www.microsemi.com or contact our factory direct. MS2209 ELECTRICAL SPECIFICATIONS (Tcase = 25°C) STATIC Symbol BVCBO BVEBO BVCER ICBO hFE IC = 40mA IE = 10mA IC= 40mA VCB= 35 V VCE = 5 V IC = 2A Test Conditions IE = 0mA IC=0mA RBE = 10Ω Value Min. 65 3.0 65 -----20 Typ. ----------- Max. ------12 120 Unit V V V mA --- DYNAMIC Symbol POUT GP ηC VSWR f = 960-1215MHz f = 960-1215MHz f = 960-1215MHz f = 960MHz Test Conditions VCC = 50V VCC = 50V VCC = 50V VCC = 50V PIN = 13W PIN = 13W PIN = 13W PIN = 13W Value Min. 90 8.4 38 Typ. 100 --44 Max. ------10:1 Unit W dB % Pulse Width = 10 µs Duty Cycle = 10% IMPEDANCE DATA Freq 960 1025 1090 1150 1215 Vcc=50v Pout=90w Zin (Ω) 5+j9.0 6+j8.0 6.8+j7.2 6.3+j7.0 5.8+j7.8 Zcl (Ω) 10.2-j8.8 9.5-j7.6 9.0-j6.2 8.4-j5.0 7.0-j3.7 Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein. Visit our web site at www.microsemi.com or contact our factory direct. MS2209 TEST CIRCUIT Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein. Visit our web site at www.microsemi.com or contact our factory direct. MS2209 PACKAGE MECHANICAL DATA Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein. Visit our web site at www.microsemi.com or contact our factory direct.
MS2209_08
物料型号: - 型号为MS2209。

器件简介: - MS2209是一款宽带、高峰值脉冲功率的硅NPN双极器件,专为需要宽带宽、适度占空比和脉冲宽度限制的航空应用而设计,例如地面/舰船基础DME/TACAN。

引脚分配: - 1. Collector(集电极) - 2. Base(基极) - 3. Emiter(发射极) - 4. Base(基极)

参数特性: - 带宽:225 MHz - 功率输出:至少90W,增益至少8.4 dB - 封装:.400x.4002NLFL(M218) 密封封装 - 工作类别:Class C - 集电极供电电压(Vcc):50V - 设备电流(Ic):7.0A - 功率耗散(PISs):220W - 结温(TJ):+200°C(射频脉冲操作) - 存储温度(TSTG):-65至+200°C

功能详解: - MS2209设计用于需要宽带宽和适度占空比的应用,例如地面/舰船基础DME/TACAN。此外,该器件也适用于特殊应用,包括JTIDS应用,当占空比适度较高时。金金属化和发射极球补偿确保在Class C放大器操作下的高可靠性。

应用信息: - 适用于航空应用,需要宽带宽、适度占空比和脉冲宽度限制,例如地面/舰船基础DME/TACAN,以及JTIDS应用。

封装信息: - 封装风格为M218,具体尺寸数据如下: - A: 最小.025英寸/0.64毫米,无最大值 - B: 最小100英寸/2.54毫米,最大100英寸/2.54毫米 - C: 最小.100英寸/2.54毫米,最大.100英寸/2.54毫米 - D: 最小395英寸/10.03毫米,最大.407英寸/10.34毫米 - E: 最小.193英寸/4.90毫米,无最大值 - F: 无最小值,最大.230英寸/5.84毫米 - G: 最小.004英寸/0.10毫米,最大.007英寸/0.18毫米 - H: 最小.118英寸/3.00毫米,最大.131英寸/3.33毫米 - J: 最小.650英寸/16.51毫米,无最大值 - K: 最小.386英寸/9.80毫米,无最大值 - L: 最小900英寸/22.86毫米,无最大值 - M: 最小.450英寸/11.43毫米,无最大值 - N: 最小.125英寸/3.18毫米,无最大值 - O: 最小.405英寸/10.29毫米,无最大值 - P: 最小.170英寸/4.32毫米,无最大值 - Q: 最小.062英寸/1.58毫米,最大.063英寸/1.60毫米
MS2209_08 价格&库存

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