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创作活动
MSMLG16AE3

MSMLG16AE3

  • 厂商:

    MICROSEMI(美高森美)

  • 封装:

    DO215AB

  • 描述:

    TVSDIODE16VWM26VCDO215AB

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
MSMLG16AE3 数据手册
MSMLG16AE3 AI解析
物料型号:MSMLG5.0A至MSMLG170CAe3和MSMLJ5.0A至MSMLJ170CAe3

器件简介:这些高可靠性的瞬态电压抑制二极管(TVS)可保护电路免受高达3000W(10/1000μs模型脉冲)的电压尖峰。SMLG系列采用DO-215AB封装,具有可见的焊点连接;SMLJ系列采用DO-214AB封装,允许更高的PCB安装密度。

引脚分配:SMLG系列采用gull-wing设计,SMLJ系列采用J-bend设计。

参数特性: - 工作结温范围:-65°C至150°C - 热阻抗(结到引脚):17.5°C/W - 热阻抗(结到环境):77.5°C/W - 峰值脉冲功率耗散:3000W(在25°C下,10/1000μs脉冲) - 脉冲重复率:小于0.01

功能详解: - 可承受高达3000W的瞬态电压 - 防止开关瞬态和射频感应的电压 - 符合IEC 61000-4-2和IEC 61000-4-4标准的ESD和EFT保护 - 符合IEC 61000-4-5标准的二次防雷保护

应用信息:适用于需要高可靠性保护的电路,如通信、数据存储、工业控制等领域。

封装信息: - SMLG系列:DO-215AB封装 - SMLJ系列:DO-214AB封装 - 引脚布局和尺寸信息在文档中有详细说明
*介绍内容由AI识别生成
MSMLG16AE3 价格&库存

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